一种半蚀刻引线框架结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半蚀刻引线框架结构，它包括第一图形层(1)，所述第一图形层(1)上设置有第二图形层(2)，所述第一图形层(1)和第二图形层(2)之间设置有第一抗蚀层(4)，所述第一图形层(1)、第二图形层(2)和第一抗蚀层(4)外围包封有绝缘材料(3)，所述第二图形层(2)表面部分区域设置有第二抗蚀层(6)，所述第二图形层(2)表面未设置第二抗蚀层(6)的区域蚀刻至第一抗蚀层(4)从而形成半蚀刻凹槽(5)。本实用新型专利技术一种半蚀刻引线框架结构，它解决了传统工艺难以解决的均匀性问题，可以满足客户更多的半蚀刻深度要求，且工艺简单，生产周期短管控成本低，从而大大提高了产品在市场上的竞争优势。

A semi etched lead frame structure

【技术实现步骤摘要】
一种半蚀刻引线框架结构
本技术涉及一种半蚀刻引线框架结构，属于半导体封装

技术介绍
随着现代科学的不断发展，半导体封装技术越来越广泛的应用于各个领域。它在汽车电子的大量应用使得对其可靠性要求比较高。为了得到更加良好的焊接性能，目前很多的引线框架会针对背面引脚做出一个半蚀刻区域(如图1，图2)，半蚀刻区域表面可以电镀防氧化的镀层，这样在切割后，侧面裸露的位置会覆盖镀层，在焊接时侧面因为有镀层的保护而不被氧化，可以很好的浸润到锡膏，使得焊接更加牢固。现有的半蚀刻工艺，半蚀刻出来的区域，底部并非是全平的状态，而是类似U型(如图3)，而客户因为封装性能的要求，又需要这个U型的底部平坦区域足够长，这对工艺的要求非常严格，很难达到要求。并且，目前的蚀刻工艺，受条件影响，一旦客户要求的深度比较深，就会造成比较大的极差，难以满足客户的要求，还会存在产品被咬穿的风险。诸如以上的种种工艺条件的限制，导致目前半蚀刻产品有一定局限性。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种半蚀刻引线框架结构，得到的半蚀刻深度的均匀性更好，且能满足更多不同的深度要求。本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种半蚀刻引线框架结构，它包括第一图形层，所述第一图形层上设置有第二图形层，所述第一图形层和第二图形层之间设置有第一抗蚀层，所述第一图形层、第二图形层和第一抗蚀层外围包封有绝缘材料，所述第二图形层表面部分区域设置有第二抗蚀层，所述第二图形层表面未设置第二抗蚀层的区域蚀刻至第一抗蚀层从而形成半蚀刻凹槽。优选的，所述引线框架结构所有外露的金属层表面设置有金属抗氧化层。优选的，所述绝缘材料采用塑封料、ABF膜或绝缘胶。优选的，所述第一抗蚀层采用镍或锡。优选的，所述第二抗蚀层采用镍或锡。优选的，所述金属抗氧化层采用镍金、镍钯金或锡。与现有技术相比，本技术的优点在于：本技术一种半蚀刻引线框架结构，它解决了传统工艺难以解决的均匀性问题，可以满足客户更多的半蚀刻深度要求，且工艺简单，生产周期短管控成本低，从而大大提高了产品在市场上的竞争优势。附图说明图1、2为现有的半蚀刻框架的结构示意图。图3为常规半蚀刻区域的剖面图。图4为本技术一种半蚀刻引线框架结构的结构示意图。图5～图15为本技术一种半蚀刻引线框架结构制造方法的各工序流程图。其中：第一图形层1第二图形层2绝缘材料3第一抗蚀层4半蚀刻凹槽5第二抗蚀层6金属抗氧化层7。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。如图4所示，本实施例中的一种半蚀刻引线框架结构，它包括第一图形层1，所述第一图形层1上设置有第二图形层2，所述第一图形层1和第二图形层2之间设置有第一抗蚀层4，所述第一图形层1、第二图形层2和第一抗蚀层4外围包封有绝缘材料3，所述第二图形层2表面部分区域设置有第二抗蚀层6，所述第二图形层2表面未设置第二抗蚀层6的区域蚀刻至第一抗蚀层4从而形成半蚀刻凹槽5；所述引线框架结构所有外露的金属层表面设置有金属抗氧化层7。其制造方法如下：步骤一、参见图5，取一金属基板；步骤二、参见图6，在金属基板正面电镀第一图形层；步骤三、参见图7，在金属基板正面进行绝缘材料预包封，将第一图形层包封起来；所述预包封方式采用转移注塑、热压注塑、压膜或涂胶的方式；所述预包封绝缘材料采用塑封料、ABF膜、绝缘胶等绝缘材料；步骤四、参见图8，对包封后的金属基板进行表面研磨，使第一图形层露出来；步骤五、参见图9，在第一图形层上依次电镀第一抗蚀层和第二图形层；所述第一抗蚀层采用镍、锡等等；步骤六、参见图10，再次进行绝缘材料预包封，将第一抗蚀层和第二图形层包封起来；所述预包封方式采用转移注塑、热压注塑、压膜或涂胶的方式；所述预包封绝缘材料采用塑封料、ABF膜、绝缘胶等绝缘材料；步骤七、参见图11，再次进行研磨，使第二图形层露出来；步骤八、参见图12，蚀刻掉背面的部分金属基板，将第一图形层从背面露出来；步骤九、参见图13，将不需要半蚀刻的区域电镀一层第二抗蚀层保护，保留部分第二图形层露出；所述第二抗蚀层采用镍、锡等等；步骤十、参见图14，直接进行蚀刻，将半蚀刻的凹槽蚀刻出来；步骤十一、参见图15，所有裸露在外的金属面电镀金属抗氧化层；所述金属抗氧化层采用镍金、镍钯金、锡等等。通过重复步骤二～步骤四可以制作多层图形。除上述实施例外，本技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半蚀刻引线框架结构，其特征在于：它包括第一图形层(1)，所述第一图形层(1)上设置有第二图形层(2)，所述第一图形层(1)和第二图形层(2)之间设置有第一抗蚀层(4)，所述第一图形层(1)、第二图形层(2)和第一抗蚀层(4)外围包封有绝缘材料(3)，所述第二图形层(2)表面部分区域设置有第二抗蚀层(6)，所述第二图形层(2)表面未设置第二抗蚀层(6)的区域蚀刻至第一抗蚀层(4)从而形成半蚀刻凹槽(5)。/n

【技术特征摘要】
1.一种半蚀刻引线框架结构，其特征在于：它包括第一图形层(1)，所述第一图形层(1)上设置有第二图形层(2)，所述第一图形层(1)和第二图形层(2)之间设置有第一抗蚀层(4)，所述第一图形层(1)、第二图形层(2)和第一抗蚀层(4)外围包封有绝缘材料(3)，所述第二图形层(2)表面部分区域设置有第二抗蚀层(6)，所述第二图形层(2)表面未设置第二抗蚀层(6)的区域蚀刻至第一抗蚀层(4)从而形成半蚀刻凹槽(5)。


2.根据权利要求1所述的一种半蚀刻引线框架结构，其特征在于：所述引线框架结构所有外露的金...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，任鹏飞，陆晓燕，任姣，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32