半导体的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体的形成方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成隧穿氧化层；刻蚀所述隧穿氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；在所述隧穿氧化层和所述浅沟槽隔离结构依次形成多个浮栅，多个所述浮栅之间形成第一U形槽，所述浮栅表面形成有浮栅氧化物层；刻蚀所述浮栅氧化物层露出所述浮栅表面；刻蚀浮栅侧壁使得浮栅的宽度变小；在刻蚀后的所述浮栅上形成ONO层，所述ONO层形成第二U形槽；向第二U形槽内填充多晶硅并覆盖所述ONO层，刻蚀多晶硅形成控制栅。在本发明专利技术提供的半导体形成方法中，通过缩小浮栅的宽度，以改变第一U型槽的深度和宽度的比，从而提高多晶硅填充第二U型槽的效果，进一步提高控制栅刻蚀的工艺窗口。

Semiconductor formation method

【技术实现步骤摘要】
半导体的形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体的形成方法。
技术介绍
二维平面NANDflash进入到20纳米节点时，因为关键尺寸减小，浮栅和控制栅的结构显得非常关键。COPEN工艺是增加浮栅和控制栅电容的接触面积，通过去除浮栅之间的部分氧化层，让浮栅和控制栅的接触面积足够大，进而增加浮栅上的电耦合电压的一种工艺。该工艺在19纳米NAND工艺节点下对COPEN后的形貌，关键尺寸的要求非常严格，这样才能满足编程，读写需要。因为二维平面20纳米NANDflash浮栅间的尺寸非常的小，还需要两边各包裹一层10纳米厚的的ONO绝缘层，控制栅极(CGpoly)的填充窗口已经非常的狭窄，如CGpoly不能完整填充，出现空洞会影响存储区域数据存储单元的正常工作，造成存储区失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体的形成方法，可以提高多晶硅填充第二U型槽的效果，进一步提高控制栅刻蚀的工艺窗口。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体的形成方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，在所述衬底上形成隧穿氧化层；/n刻蚀所述隧穿氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；/n在所述隧穿氧化层和所述浅沟槽隔离结构依次形成多个浮栅，多个所述浮栅之间形成第一U形槽，所述浮栅表面形成有浮栅氧化物层；/n刻蚀所述浮栅氧化物层露出所述浮栅表面；/n刻蚀所述浮栅侧壁使得所述浮栅的宽度变小；/n在刻蚀后的所述浮栅上形成ONO层，所述ONO层形成第二U形槽；/n向所述第二U形槽内填充多晶硅并覆盖所述ONO层，刻蚀所述多晶硅形成控制栅。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，在所述衬底上形成隧穿氧化层；
刻蚀所述隧穿氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；
在所述隧穿氧化层和所述浅沟槽隔离结构依次形成多个浮栅，多个所述浮栅之间形成第一U形槽，所述浮栅表面形成有浮栅氧化物层；
刻蚀所述浮栅氧化物层露出所述浮栅表面；
刻蚀所述浮栅侧壁使得所述浮栅的宽度变小；
在刻蚀后的所述浮栅上形成ONO层，所述ONO层形成第二U形槽；
向所述第二U形槽内填充多晶硅并覆盖所述ONO层，刻蚀所述多晶硅形成控制栅。


2.如权利要求1所述的半导体的形成方法，其特征在于，所述刻蚀浮栅氧化物层使用的HF氢氟酸。


3.如权利要求1所述的半导体的形成方法，其特征在于，刻蚀所述浮栅侧壁使用的液体为氨水和双氧水的混合物。


4.如权利要求3所述的半导体的形成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：何理，巨晓华，王奇伟，陈昊瑜，邵华，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31