【技术实现步骤摘要】
包含蚀刻停止材料的微电子装置及电子系统以及相关方法优先权主张本申请案自申请日期起主张2018年12月11日提出申请的序列号为16/216,088的美国专利申请案“包含蚀刻停止材料的半导体装置及电子系统以及相关方法”的权益。
本文中所揭示的实施例涉及微电子装置及电子系统且涉及形成微电子装置及电子系统的相关方法。更确切来说，本专利技术的实施例涉及包含包括铈的氧化物以及镁、铝及铪中的至少一者的氧化物的蚀刻停止材料的微电子装置(例如，NAND装置)，且涉及相关装置、相关电子系统以及形成包含所述蚀刻停止材料的微电子装置及电子系统的相关方法。
技术介绍
制作半导体装置包含将一或多种材料形成(例如，图案化)为具有所期望的大小及间隔。举例来说，可将导电材料图案化成导电线(例如，存取线(例如字线)、数字线(例如感测线、位线))、导电触点及导电迹线。可将其它特征图案化以形成例如存储器单元、存储器存储元件及半导体装置的其它组件的选择装置。为满足提高存储器容量的要求，设计者不断追求增大的存储器密度(即，集成电路裸片的给定面积...
【技术保护点】
1.一种微电子装置，其包括：/n半导体材料，其延伸穿过导电材料与绝缘材料的交替层级的堆叠；及/n包括氧化铈及至少另一氧化物的材料，其邻近于所述半导体材料。/n
【技术特征摘要】
20181211 US 16/216,0881.一种微电子装置，其包括：
半导体材料，其延伸穿过导电材料与绝缘材料的交替层级的堆叠；及
包括氧化铈及至少另一氧化物的材料，其邻近于所述半导体材料。
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述材料包括从约27.5摩尔％的氧化铈到约57.5摩尔％的氧化铈。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述材料具有从约10nm到约100nm的厚度。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述至少另一氧化物包括氧化镁。
5.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括电荷存储材料，所述电荷存储材料位于所述半导体材料与所述导电材料及所述绝缘材料的交替层级的所述堆叠之间。
6.根据权利要求5所述的微电子装置，其中所述电荷存储材料包括氧化物-氮化物-氧化物材料。
7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述至少另一氧化物包括以下各项中的至少一种：氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氧化钇、二氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化铌、氧化钽、氧化铝或二氧化硅。
8.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括邻近于所述半导体材料而延伸穿过所述堆叠的另一半导体材料，所述材料包括氧化铈且包括氧化镁、氧化铝或氧化铪中的至少一者，位于所述半导体材料与所述另一半导体材料之间。
9.根据权利要求1所述的微电子装置，其中交替层级的所述堆叠包括所述导电材料及所述绝缘材料的至少32个交替层级。
10.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述材料位于包括所述半导体材料的第一柱与包括所述半导体材料的第二柱之间。
11.根据权利要求10所述的微电子装置，其中所述第一柱具有大于约30:1的纵横比。
12.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述材料包括从约40.0摩尔％到约80.0摩尔％的氧化镁。
13.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述材料包括镁、铝或铪中的至少一者的氧化物。
14.一种包括根据权利要求1到13中任一权利要求所述的微电子装置的电子系统，所述电子系统包括：
至少一个处理器装置，其可操作地耦合到至少一个输入装置及至少一个输出装置；及
根据权利要求1到13中任一权利要求所述的微电子装置，其可...
【专利技术属性】
技术研发人员：李皓玉，E·A·麦克蒂尔，C·W·佩茨，Y·J·胡，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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