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本发明提供了一种半导体的形成方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成隧穿氧化层；刻蚀所述隧穿氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；在所述隧穿氧化层和所述浅沟槽隔离结构依次形成多个浮栅，多个所述浮栅之间形成第一U形槽，所述浮栅表面形成有浮栅氧化...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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