一种靶材晶粒微细化的制成工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种靶材晶粒微细化的制成工艺，首先将铝锭进行加热至170‑220℃后进行一次压延，一次压延过程中设计压延道次为≧2次，每次压下量相等，得半成品靶材；然后再对半成品靶材加热至300‑350℃后进行二次压延，二次压延中分为≧2个道次，第一道次压下量低于其余道次的压下量，得到成品靶材，通过金相显微镜观察发现，成品靶材中晶粒的平均尺寸≦90μm，且晶粒的尺寸分布更加集中。

A process of target grain refinement

【技术实现步骤摘要】
一种靶材晶粒微细化的制成工艺
本专利技术属于靶材制备
，具体涉及一种靶材晶粒微细化的制成工艺。
技术介绍
在半导体工业中，靶材可以通过溅射工艺、离子镀或其他镀膜工艺形成表面镀膜的薄膜材料，从而发挥各种各样的作用。对于铝靶材而言，在其制备过程中，首先需要对高纯铝进行一系列的加工，制成具有一定形状和尺寸的材料，随后经过成膜过程，制得半成品材料，用于工业生产。铝靶材的生产过程包括：第一，高纯铝的生产：从铝土矿中提取氧化铝，经过电解、熔炼等过程，得到纯度达到99％以上的铝材料。第二，铝靶材的变形处理：以高纯铝锭为原材料，进行锻造、轧制、热处理等工艺过程，主要是使铝晶粒微细化，提高铝锭致密度，以满足溅射成膜的要求。第三，机械加工：对经过晶粒微细化处理的铝靶材进行机械加工，提高铝靶材表面精度和表面质量，并使其与镀膜机的螺纹相连接。在上述生产过程中，第二步“铝靶材的变形处理”是重要的工艺过程，经过良好处理的铝靶材的晶粒更加细小，尺寸更加均匀，能够满足更高精度的需求。在对铝靶材进行处理，以使铝晶粒尺寸更加细小和均匀这一方面，也已有多种工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种靶材晶粒微细化的制成工艺，包括如下步骤：/n(1)一次压延：将铝锭加热至170-220℃，然后进行一次压延，得半成品靶材；/n(2)二次压延：将半成品靶材再次加热至300-350℃，然后进行二次压延，得成品靶材；/n所述步骤(1)中，一次压延过程分为≧2个道次进行，每个道次的压下量相等；/n所述步骤(2)中，二次压延过程分为≧2个道次进行，其中第1道次的压下量低于其余道次的压下量。/n

【技术特征摘要】
1.一种靶材晶粒微细化的制成工艺，包括如下步骤：
(1)一次压延：将铝锭加热至170-220℃，然后进行一次压延，得半成品靶材；
(2)二次压延：将半成品靶材再次加热至300-350℃，然后进行二次压延，得成品靶材；
所述步骤(1)中，一次压延过程分为≧2个道次进行，每个道次的压下量相等；
所述步骤(2)中，二次压延过程分为≧2个道次进行，其中第1道次的压下量低于其余道次的压下量。


2.如权利要求1所述的靶材晶粒微细化的制成工艺，其特征在于：所述步骤(2)中，二次压延过程分为≧3个道次进行，除了所述第1道次之外的其余道次压下量相等。


3.如权利要求2所述的靶材晶粒微细化的制成工艺，其特征在于：所述一次压延过程中的加热步骤中，首先将铝锭放入加热炉中，设置炉体加热最高温度为250℃；利用加热炉内的温度探测头，实时监测铝锭的温度，待铝锭的实际温度为170-220℃时，取出铝锭，进行一次压延。


4.如权利要求3所述的靶材晶粒微细化的制成工艺，其特征在于：所述一次压延过程中，待铝锭的实际温度为170℃时，取出铝锭，进行一次压延。
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【专利技术属性】
技术研发人员：尤小磊，常艳超，中村晃，董常亮，
申请(专利权)人：爱发科电子材料苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32