半导体加工设备及其磁控管机构制造技术

本申请实施例提供了一种半导体加工设备及其磁控管机构。该磁控管机构应用于半导体加工设备，其包括背板、外磁极、内磁极及驱动装置；外磁极设置于背板的底面上，并且在底面上围成一容置空间；内磁极可移动地设置于背板的底面上，并且位于容置空间内；驱动装置设置在背板的顶面上，与内磁极连接，用于驱动内磁极在容置空间内移动，其中，内磁极在运动过程中与外磁极之间的间距始终大于预设的第一间距。本申请实施例实现了靶材的全靶腐蚀。由于避免了产生反溅射，还有效降低了工艺过程中工艺颗粒的产生，从而使得本申请实施例能满足工艺颗粒控制的需求，进而能有效提高工艺结果的厚度均匀性。

Semiconductor processing equipment and its magnetron mechanism

【技术实现步骤摘要】
半导体加工设备及其磁控管机构
本申请涉及半导体加工
，具体而言，本申请涉及一种半导体加工设备及其磁控管机构。
技术介绍
目前，随着集成电路技术的大规模发展，芯片关键尺寸不断缩小，铜互连制造工艺面临的挑战越来越多。为了保证16nm(纳米)以下及更小的铜互连结构的紧凑以及结构的完整性，则需要更加先进的硬掩膜工艺。在更加先进的工艺制造流程中，金属硬掩膜(Hardmask)工艺主要作用在于保持较软的超低k电介质材料中的铜线和通孔的图形完整性。然而随着芯片工艺尺寸的不断缩小，传统的氮化钛(TiN)硬掩膜薄膜存在多种问题无法适用于更先进的集成电路工艺。一方面，传统的硬掩膜薄膜密度较低，在制备薄膜时需要沉积较厚的厚度，这就大大增加了蚀刻深孔(Via)的深宽比，且增加了后续金属导电层在深孔中的填充等一系列工艺的难度，因此急需增加硬掩膜薄膜的密度，以减小薄膜沉积厚度，尽量缩小蚀刻深孔的深宽比。另一方面，传统的硬掩膜薄膜沉积后的压缩应力(Compress)可能会导致电介质薄膜中狭窄的铜线图案发生变形或者倒塌。因此，为保持蚀刻的一致性，急需要制备更加致密且张应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控管机构，应用于半导体加工设备，其特征在于，包括背板、外磁极、内磁极及驱动装置；/n所述外磁极设置于所述背板的底面上，并且在所述底面上围成一容置空间；所述内磁极可移动地设置于所述背板的底面上，并且位于所述容置空间内；/n所述驱动装置设置在所述背板的顶面上，与所述内磁极连接，用于驱动所述内磁极在所述容置空间内移动，其中，所述内磁极在运动过程中与所述外磁极之间的间距始终大于预设的第一间距。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁控管机构，应用于半导体加工设备，其特征在于，包括背板、外磁极、内磁极及驱动装置；
所述外磁极设置于所述背板的底面上，并且在所述底面上围成一容置空间；所述内磁极可移动地设置于所述背板的底面上，并且位于所述容置空间内；
所述驱动装置设置在所述背板的顶面上，与所述内磁极连接，用于驱动所述内磁极在所述容置空间内移动，其中，所述内磁极在运动过程中与所述外磁极之间的间距始终大于预设的第一间距。


2.如权利要求1所述的磁控管机构，其特征在于，所述驱动装置用于驱动所述内磁极整体沿直线方向在所述容置空间内的多个预设位置之间移动。


3.如权利要求2所述的磁控管机构，其特征在于，所述多个预设位置包括沿直线方向设置的第一位置、第二位置及第三位置，所述第二位置及所述第三位置分别位于所述第一位置的两侧，所述第二位置及所述第三位置与所述第一位置之间均具有第二间距。


4.如权利要求1所述的磁控管机构，其特征在于，所述驱动装置包括有驱动部及连接件，所述驱动部设置于所述背板的顶面上，所述连接件...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉杰，王晓燕，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11