半导体晶片的制造方法技术

本发明专利技术提供半导体晶片的制造方法，其包括多阶段研磨工序，所述工序包括使用包含磨粒的研磨剂进行的3阶段以上的研磨工序；上述多阶段研磨工序中，该多阶段研磨工序的最终研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度、最终研磨工序的1个阶段前进行的1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度、与最终研磨工序的2个阶段前进行的2个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度满足下述关系式1；且1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂中包含的磨粒的通过动态光散射法求出的平均粒径为65nm以上，且聚集度大于1.50。(关系式1)2个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度>1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度>最终研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度。

Manufacturing method of semiconductor wafer

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶片的制造方法
本专利技术涉及半导体晶片的制造方法。
技术介绍
半导体晶片(以下也简单记载为“晶片”)的制造工序中，通常包括：使用包含磨粒的研磨剂进行的多阶段研磨工序(例如参照日本专利第3637594号的第0008段和实施例)。
技术实现思路
使用包含磨粒的研磨剂进行的多阶段研磨工序通常包括：为了提高晶片表面的平坦度、去除加工应变层而进行的粗研磨工序；为了去除因粗研磨工序而导入晶片表面的表面缺陷(研磨引起的缺陷)而进行的1阶段或2阶段以上的精研磨工序。但是，如果在精研磨工序中无法充分去除研磨引起的缺陷，或在精研磨工序中导入新的研磨引起的缺陷，则阻碍了由作为制品而出厂的半导体晶片制造的设备的高集成化。特别地，近年来伴随设备的进一步高集成化的推进，对提高半导体晶片的表面品质的要求提高，所以与以往相比更强烈期望减少半导体晶片的研磨引起的缺陷。本专利技术的一个方案提供半导体晶片的制造方法，其是包括使用包含磨粒的研磨剂进行的多阶段研磨工序的半导体晶片的制造方法，能够制造减少了研磨引起的缺陷的半导体晶片。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，/n包括多阶段研磨工序，所述多阶段研磨工序包括使用包含磨粒的研磨剂进行的3阶段以上的研磨工序；/n前述多阶段研磨工序中，该多阶段研磨工序的最终研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度、最终研磨工序的1个阶段前进行的1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度、与最终研磨工序的2个阶段前进行的2个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度满足下述关系式1：/n关系式1/n2个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度>1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度>最终研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度；/n且1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂中包含的磨粒的通过动态光...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，
包括多阶段研磨工序，所述多阶段研磨工序包括使用包含磨粒的研磨剂进行的3阶段以上的研磨工序；
前述多阶段研磨工序中，该多阶段研磨工序的最终研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度、最终研磨工序的1个阶段前进行的1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度、与最终研磨工序的2个阶段前进行的2个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度满足下述关系式1：
关系式1
2个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度>1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度>最终研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度；
且1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂中包含的磨粒的通过动态光散射法求出的平均粒径为65nm以上，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷本龙一，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP