【技术实现步骤摘要】
一种抗水解LED芯片及其制作方法、抗水解LED器件
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种抗水解LED芯片及其制作方法、抗水解LED器件。
技术介绍
参见图1，现有的LED芯片包括衬底10、发光结构和绝缘层30，所述发光结构包括设于衬底10上的N-GaN层21、设于N-GaN层21上的有源层22和N电极25、设于有源层22上的P-GaN层23、设于P-GaN层23上的ITO层24、以及设于ITO层24上的P电极26，所述绝缘层30层覆盖发光结构的表面。现有的LED芯片没有对N-GaN层进行蚀刻以露出衬底，未对外延层(N-GaN层21、有源层22和P-GaN层23的侧壁进行保护，在LED芯片通电使用过程中，侧壁的N-GaN层21因封装所用封装胶气密性较差，环境中的水汽、杂质等物质仍会进入并附着在发光结构的侧壁上，在电场的作用下，发光结构的侧壁会被水解腐蚀，LED芯片失效。参见图2，现有的LED芯片在封装后，由于LED芯片的侧面和背面衬底的材料Al2O3，与封装胶40的粘附性较差，导致LED芯片与封装胶之...
【技术保护点】
1.一种抗水解LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底正面的发光结构、第一保护层、第二保护层和亲水层，所述第一保护层覆盖在发光结构上，所述第二保护层设置在第一保护层上；/n所述第一保护层和第二保护层由绝缘的透光材料制成，所述第一保护层的致密性要高于第二保护层的致密性，且所述第二保护层的折射率小于第一保护层的折射率；/n所述第二保护层设有若干隔离槽，所述隔离槽设置在N电极和P电极之间，以增加水解金属的迁移距离；/n所述亲水层设置在衬底的背面并延伸到发光结构的侧壁上，所述亲水层由具有亲水性的绝缘材料制成。/n
【技术特征摘要】
1.一种抗水解LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底正面的发光结构、第一保护层、第二保护层和亲水层，所述第一保护层覆盖在发光结构上，所述第二保护层设置在第一保护层上；
所述第一保护层和第二保护层由绝缘的透光材料制成，所述第一保护层的致密性要高于第二保护层的致密性，且所述第二保护层的折射率小于第一保护层的折射率；
所述第二保护层设有若干隔离槽，所述隔离槽设置在N电极和P电极之间，以增加水解金属的迁移距离；
所述亲水层设置在衬底的背面并延伸到发光结构的侧壁上，所述亲水层由具有亲水性的绝缘材料制成。
2.如权利要求1所述的抗水解LED芯片，其特征在于，所述第一保护层由Al2O3制成，所述第二保护层由SiO2或Si3N4制成。
3.如权利要求1所述的抗水解LED芯片，其特征在于，所述第一保护层的厚度为1000～3000埃，所述第二保护层的厚度为2000～5000埃。
4.如权利要求1所述的抗水解LED芯片，其特征在于，所述隔离槽的宽度为0.1～5微米，所述隔离槽之间的间隔距离为0.8～2.5微米。
5.如权利要求1所述的抗水解LED芯片，其特征在于，所述隔离槽平行设置。
6.如权利要求1所述的抗水解...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔永进，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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