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本发明公开了一种抗水解LED芯片及其制作方法、抗水解LED器件，所述芯片包括衬底、设于衬底正面的发光结构、第一保护层、第二保护层和亲水层，所述第一保护层覆盖在发光结构上，所述第二保护层设置在第一保护层上；所述第一保护层和第二保护层由绝缘的透...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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