【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着技术节点的降低，传统的栅介质层不断变薄，晶体管漏电量随之增加，引起半导体器件功耗浪费等问题。为解决上述问题，现有技术提供一种将金属栅极替代多晶硅栅极的解决方案。其中，后栅极(gatelast)工艺为形成金属栅极的一个主要工艺。然而，半导体结构的性能仍较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区，且所述第二区与第一区相互分立；分别在所述基底的第一区表面和第二区表面形成伪栅结构；在所述基底表面形成介质层，所述介质层顶部低于伪栅结构的顶部，且所述介质层覆盖伪栅结构的部分侧壁；在所述介质层表面形成第一保护层和位于第一保护层表面的第二保护层，所述第一保护层与第二保护层的材料不同，且所述第二保护层的材料与伪栅结构顶部的材料不同；...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区，且所述第二区与第一区相互分立；/n分别在所述基底的第一区表面和第二区表面形成伪栅结构；/n在所述基底表面形成介质层，所述介质层顶部表面低于所述伪栅结构的顶部表面，且所述介质层覆盖伪栅结构的部分侧壁；/n在所述介质层表面形成第一保护层和位于第一保护层表面的第二保护层，所述第一保护层与第二保护层的材料不同，且所述第二保护层的材料与伪栅结构顶部的材料不同；/n去除所述伪栅结构，在所述介质层、第一保护层和第二保护层内形成初始伪栅开口；/n在所述初始伪栅开口内和第二保护层表面形成栅结构膜，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区，且所述第二区与第一区相互分立；
分别在所述基底的第一区表面和第二区表面形成伪栅结构；
在所述基底表面形成介质层，所述介质层顶部表面低于所述伪栅结构的顶部表面，且所述介质层覆盖伪栅结构的部分侧壁；
在所述介质层表面形成第一保护层和位于第一保护层表面的第二保护层，所述第一保护层与第二保护层的材料不同，且所述第二保护层的材料与伪栅结构顶部的材料不同；
去除所述伪栅结构，在所述介质层、第一保护层和第二保护层内形成初始伪栅开口；
在所述初始伪栅开口内和第二保护层表面形成栅结构膜，所述栅结构膜充满初始伪栅开口；
平坦化所述栅结构膜，直至暴露出第一保护层，在所述介质层和第一保护层内形成伪栅开口和位于伪栅开口内的栅极结构。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的厚度与伪栅结构的高度的差值为：200埃～400埃。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅结构包括：位于所述基底的第一区表面和第二区表面的伪栅介质层、位于所述伪栅介质层表面的伪栅极层以及位于所述伪栅极层顶部的第一掩膜层；所述第一掩膜层的材料与第二保护层的材料不同；所述伪栅极层的材料包括硅；所述伪栅介质层的材料包括氧化硅。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括氮化硅；所述第二保护层的材料包括氧化硅。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料与第一掩膜层的材料相同。
6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料与第一掩膜层的材料不同。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料包括碳化硅。
8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层还覆盖伪栅结构的表面时，去除所述伪栅结构的方法包括：以所述第二保护层为掩膜，去除第二保护层暴露出的第一保护...
【专利技术属性】
技术研发人员：常荣耀，纪世良，乌李瑛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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