【技术实现步骤摘要】
开关器件以及制造这样的器件的方法
本公开总体上涉及电子电路，并且更特别地，涉及开关器件。特别地，本公开涉及能够用作防止静电放电或ESD的器件的开关器件。
技术介绍
适于用作防止静电放电的器件的开关器件是已知的，该静电放电能够发生在电子电路的两个端子之间。这样的器件旨在被连接在电路的这两个端子之间，并且被配置为当在这两个端子之间发生静电放电时开通。器件的这样的开通使得能够保护电路免受静电放电。已知的开关器件遭受各种缺点，特别是当他们被用作防止静电放电的器件时。
技术实现思路
本公开的至少一个实施例是克服已知的开关器件的至少某些缺点的开关器件。本公开的至少一个实施例是能够用作防止静电放电的器件的开关器件，从而克服已知的防止静电放电的器件的至少某些缺点。因此，一个实施例提供了包括第一磷掺杂硅层的开关器件，该第一磷掺杂硅层在第二砷掺杂硅层的顶部上并且与第二砷掺杂硅层接触。根据一个实施例，随着距第二层的距离增加，第一层的掺杂水平降低。根据一个实施例，器件包括堆叠，该堆叠依次包...
【技术保护点】
1.一种开关器件，包括：/nP型第一硅层；/n砷掺杂第二硅层，其在所述第一硅层上；/n磷掺杂第三硅层，其在所述第二硅层的顶部上并且与所述第二硅层接触；以及/nN型第四硅层，其在所述第三硅层上。/n
【技术特征摘要】
20181211 FR 18726941.一种开关器件，包括：
P型第一硅层；
砷掺杂第二硅层，其在所述第一硅层上；
磷掺杂第三硅层，其在所述第二硅层的顶部上并且与所述第二硅层接触；以及
N型第四硅层，其在所述第三硅层上。
2.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述第二硅层在所述第一硅层和所述第三硅层之间，并且所述第三硅层在所述第二硅层和所述第四硅层之间。
3.根据权利要求1所述的开关器件，其中所述第三硅层具有随着距所述第四硅层的距离减小而降低的掺杂水平。
4.根据权利要求3所述的开关器件，其中，在所述第三硅层与所述第四硅层之间的界面处，所述第三硅层具有与所述第四硅层的掺杂水平相等的掺杂水平。
5.根据权利要求1所述的开关器件，包括第一P型区域，其被布置在所述第四硅层中、在所述第四硅层的与所述第三硅层相对的侧。
6.根据权利要求5所述的开关器件，进一步包括：
第一端子，其连接至所述第一硅层；以及
第二端子，其连接至所述第一P型区域。
7.根据权利要求6所述的开关器件，进一步包括：
第二P型区域，其被布置在所述第四硅层中、在所述第四硅层的与所述第三硅层相对的所述侧；以及
N型区域，其被布置在所述第二P型区域中、在所述第四硅层的与所述第三硅层相对的所述侧。
8.根据权利要求7所述的开关器件，其中所述第二P型区域和所述N型区域连接至所述第一端子。
9.根据权利要求6所述的开关器件，包括：
第一二极管，其由所述第一硅层和所述第二硅层形成；以及
第二二极管，其由所述第一P型区域和所述第四硅层形成，其中所述第一端子和所述第二端子被配置为连接至电路的两个相应端子，并且所述第一二极管和所述第二二极管被配置为保护所述电路免受静电放电。
10.根据权利要求1所述的开关器件，包括硅衬底和外延硅层，所述外延硅层在所述硅衬底的顶部上并且与所述硅衬底接触，所述第一硅层和所述第二硅层位于所述硅衬底中，并且所述第三硅层从所述第二硅层延伸至所述外延硅层中。
11.根据权利要求10所述的开关器件，其中所述第四硅层位于所述外延硅层中。
12.一...
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