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提供了开关器件以及制造这样的器件的方法。本公开涉及一种开关器件，其包括第一磷掺杂硅层，第一磷掺杂硅层在第二砷掺杂硅层的顶部上并且与第二砷掺杂硅层接触。本公开还涉及一种制作开关器件的方法，其包括在砷掺杂硅层中形成磷掺杂硅层。...
该专利属于意法半导体(图尔)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(图尔)公司授权不得商用。

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