【技术实现步骤摘要】
基于金属纳米线的多层结构透明电磁屏蔽膜及其制备方法与应用
本专利技术涉及一种多用途的透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法，尤其是一种具有传声器功能的透明高性能电磁屏蔽薄膜及其制备方法。
技术介绍
随着电子产品和通讯设备的快速发展，电磁污染愈加严重，电磁污染会造成精密电子设备的失效，也会影响人体的健康。因此电磁屏蔽材料特别是透明电磁屏蔽材料在未来具有巨大的需求。目前透明电磁屏蔽薄膜主要由金属网格以及ITO材料组成，这些材料已经无法满足电子设备越来越高的要求。其中金属网格由于衍射效应无法应用在高分辨率的设备上，ITO薄膜在弯折的条件下失效，因此无法用于柔性的设备上。在替代材料中，金属纳米线薄膜由于方阻低、透光率高及柔性可弯折的特性受到研究者与厂商的重视。但是，金属纳米线在电磁屏蔽薄膜的应用尚存在一些问题。一方面，银金属纳米线虽然电导率高，但同时纳米线间的接触电阻也非常高，这使得电磁屏蔽效率较低。另一方面，金属纳米线成本高，若要获得高屏蔽效率，传统方法需要用到大量的金属纳米线，这将造成生产成本大幅提升。
【技术保护点】
1.一种基于金属纳米线的多层结构透明电磁屏蔽膜，其特征在于，该多层结构透明电磁屏蔽膜由平行排列的两层以上的透明导电屏蔽薄膜组成，每层透明导电屏蔽薄膜包括：透明基体以及负载其上的金属纳米线层和活性材料层。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于金属纳米线的多层结构透明电磁屏蔽膜，其特征在于，该多层结构透明电磁屏蔽膜由平行排列的两层以上的透明导电屏蔽薄膜组成，每层透明导电屏蔽薄膜包括：透明基体以及负载其上的金属纳米线层和活性材料层。
2.根据权利要求1所述的基于金属纳米线的多层结构透明电磁屏蔽膜，其中，每层透明导电屏蔽薄膜的设置方式相同，并且，相邻两层透明导电屏蔽薄膜之间的距离为0-λmm，其中λ为所需屏蔽的电磁波波长。
3.根据权利要求1所述的基于金属纳米线的多层结构透明电磁屏蔽膜，其中，所述透明基体的厚度为0.025mm-10mm，优选为0.025mm-0.125mm；所述金属纳米线在所述透明基体上的面密度为40-5000mgm-2，优选为40-500mgm-2；所述活性材料在所述透明基体上的面密度为5-500mgm-2，优选为10-100mgm-2。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的基于金属纳米线的多层结构透明电磁屏蔽膜，其中，所述透明基体的材料选自聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、玻璃和石英中的至少一种；
所述的多层结构内部为真空、填充空气、或填充透明基体材料；
所述金属纳米线选自银纳米线、铜纳米线、镍纳米线和铁纳米线中的至少一种；
所述活性材料选自以下物质中的至少一种：通式为Mn+1XnTx的二维无机化合物，其中M为金属原子、X为碳或氮原子、T为官能团O、F和OH，石墨烯，氧化石墨烯，蒙脱土；所述通式为Mn+1XnTx的二维无机化合物优选为Tin+1CnTx，其中1≤n≤2。
5.根据权利要求1-3中任意一项所述的基于金属纳米线的多层结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：张好斌，陈伟，于中振，刘柳薪，
申请(专利权)人：北京化工大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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