【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器设备及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0160352的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及一种存储器，并且更具体地，涉及一种非易失性存储器设备及其操作方法。
技术介绍
存储器设备用于存储数据，并且可以分类为易失性存储器设备或非易失性存储器设备。作为非易失性存储器设备的一个例子，闪存设备可以用于便携式电话、数码相机、个人数字助理(personaldigitalassistant，PDA)、可移动计算机设备、固定计算机设备和其他设备。近年来，随着信息通信设备越来越多功能化，提高存储设备的容量和集成密度变得越来越必要。
技术实现思路
本专利技术构思提供了一种可以减少字线设置时间并改善感测性能的非易失性存储器设备以及操作该设备的方法。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。该方法包括在包括第一部分、第二部分和第三部分的第一感测时间期间在非易失...
【技术保护点】
1.一种操作非易失性存储器设备的方法，所述方法包括：/n在包括第一部分、第二部分和第三部分的第一感测时间期间，在所述非易失性存储器设备上执行第一感测操作，/n其中，执行所述第一感测操作包括：/n在所述第一部分中，将第一电压电平施加到选定字线，其中，所述第一电压电平根据第一目标电压电平可变；/n在所述第二部分中，将第二电压电平施加到所述选定字线，其中，所述第二电压电平不同于所述第一电压电平；以及/n在所述第三部分中将所述第一目标电压电平施加到所述选定字线，其中，所述第一目标电压电平不同于所述第二电压电平，/n其中，随着所述第一目标电压电平变大，所述第一电压电平变大。/n
【技术特征摘要】
20181212 KR 10-2018-01603521.一种操作非易失性存储器设备的方法，所述方法包括：
在包括第一部分、第二部分和第三部分的第一感测时间期间，在所述非易失性存储器设备上执行第一感测操作，
其中，执行所述第一感测操作包括：
在所述第一部分中，将第一电压电平施加到选定字线，其中，所述第一电压电平根据第一目标电压电平可变；
在所述第二部分中，将第二电压电平施加到所述选定字线，其中，所述第二电压电平不同于所述第一电压电平；以及
在所述第三部分中将所述第一目标电压电平施加到所述选定字线，其中，所述第一目标电压电平不同于所述第二电压电平，
其中，随着所述第一目标电压电平变大，所述第一电压电平变大。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一感测操作对应于读取操作、编程验证操作和擦除验证操作中的一个，
其中，根据所述非易失性存储器设备的操作模式，所述第一目标电压电平对应于读取电压、编程验证电压和擦除验证电压中的一个。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，随着所述第一目标电压电平变大，所述第一部分的持续时间变长。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一部分包括电压上升时间和电压维持时间，
其中，随着所述第一目标电压电平变大，所述电压维持时间变长。
5.根据权利要求1所述的方法，在将所述第一电压电平施加到所述选定字线之前，还包括以下操作中的至少一个：
随着所述第一目标电压电平变大，确定所述第一电压电平更大；以及
随着所述第一目标电压电平变大，确定所述第一部分的持续时间更长。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一部分短于与所述选定字线相邻的相邻字线的电压上升时间。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，执行所述第一感测操作还包括：在所述相邻字线的电压上升时间之后，将通过电压施加到所述相邻字线。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在将所述第一电压电平施加到所述选定字线之前，基于能够影响字线的加载和所述第一目标电压电平的一个或多个因素确定所述第一部分和所述第一电压电平中的至少一个，
其中，所述因素包括选定字线的位置和数量、包括所述选定字线的存储器块的位置和数量、包括所述选定字线的存储器平面的位置和数量、包括所述选定字线的存储器芯片的位置和数量、写入选定存储器单元的数据位的数量、温度信息、所述选定存储器单元上的编程/擦除操作的周期计数、编程循环的数量、所述选定存储器单元的阈值电压、与所述选定存储器单元相邻的相邻存储器单元的阈值电压，以及所述非易失性存储器设备的操作模式中的至少一个。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一目标电压电平具有正电压。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一目标电压电平等于或大于临界电压电平。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二电压电平大于所述第一电压电平和所述第一目标电压电平。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二电压电平小于所述第一电压电平和所述第一目标电压电平。
13.根据权利要求1所述的方法，还包括：在执行所述第一感测操作之后，在第二感测时间期间在所述非易失性存储器设备上执行第二感测操作，所述第二感测时间包括第一部分和第二部分，
其中，执行所述第二感测操作包括：
在所述第二感测时间的第一部分中将第三电压电平施加到所述选定字线；以及
在紧随所述第二感测时间的第一部分之后的所述第二感测时间的第二部分中将第二目标电压电平施加到所述选定字线，其中，所述第二目标电压电平不同于所述第三电压电平。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一目标电压电平大于所述第二目标电压电平。
15.一种操作非易失性存储器设备的方法，所述方法包括：
在包括第一部分、第二部分和第三部分的第一感测时间期间，在所述非易失性存储器设备上执行第一感测操作，
其中，执行所述第一感测操作包括：
在所述第一部分中，将第一电压电平施加到选定字线，其中，所述第一部分的持续时间根据第一目标电压电平可变；
在所述第二部分中，将第二电压电平施加到所述选定字线，其中，所述第二电压电平不同于所述第一电压电平；以及
在所述第三部分中，将所述第一目标电压电平施加到所述选定字线，其中，所述第一目标电压电平不同于所述第二电压电平，
其中，随着所述第一目标电压电平变大，所述第一部分的持续时间变长。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一感测操作对应于读取操作、编程验证操作和擦除验证操作中的一个，
其中，根据所述非易失性存储器设备的操作模式，所述第一目标电压电平对应于读取电压、编程验证电压...
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