一种镀膜治具制造技术

一种镀膜治具，用于半导体晶片的电子束或离子束蒸镀工艺，治具为一种装填颗粒状镀料的衬锅，衬料经过电子束或离子束的激发蒸发镀料对半导体晶片进行镀膜，该镀膜治具具有锥状开口，开口的角度不大于75°，减小开口角度、减少治具底部面积，保证治具在镀膜过程中，具有更均匀的温场，避免镀料凝聚，提高镀料使用率。

A kind of coating fixture

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜治具
本技术涉及一种镀膜治具，特别是一种用于半导体镀膜的衬锅。
技术介绍
在物理气相沉积PVD镀膜中，利用镀膜机对半导体晶片进行镀膜，通常将镀料装于衬锅中进行镀膜作业，参考图1，一般使用的衬锅均为平底衬锅，具有U型开口110，镀料为颗粒状单质金属，以铬为例，在镀膜过程，电子束或者离子束在电磁场的控制下打到镀料上，利用高温蒸发镀料，镀料均匀覆盖在半导体晶片上。在传统的平底衬锅中，因中间热能最高，中间区域镀料虽然表面蒸发，但位于底部的镀料在高温下凝聚成块状粘附再衬锅底部，导致该区域底部附上镀料，这部分的镀料物理结构发生了改变，多次镀膜后造成污染甚至会造成蒸镀电极的附着层厚度偏薄导致电极脱落，产品失效。
技术实现思路
本技术提供了上述问题的解决方法，即提供了一种镀膜治具，用于半导体晶片的镀膜工艺，治具为一种装填颗粒状镀料的衬锅，利用电子束或离子束蒸发镀料对半导体晶片进行镀膜，能够解决
技术介绍
中提到的技术问题，镀膜治具具有锥状开口，开口的角度不大于75°，由于侧壁与冷却管路连接，冷却效果比底部好，开口角度过大，侧壁的镀料受热不均匀，容易凝聚粘附在衬锅侧壁，凝聚后的，导致镀料的使用率下降。根据本技术，开口的角度不大于60°，减小电子束或离子束扫描的范围，提供更均匀的热场。根据本技术，优选的，锥状开口的开口面积为锥状开口的底部面积的4至6倍，或者6倍以上，本技术通过改变开口形状，限制开口底部面积，其原理根据颗粒状镀料（如铬、锡、银或者氧化硅等颗粒）在电子枪作用下会根据电子枪的作用面积结块，根据块状结构的高度和宽度去设计衬锅治具，使其贴近实际镀膜情况，避免底部镀料凝聚粘附，造成衬锅污染。根据本技术，优选的，锥状开口的侧壁为阶梯状，主要目的是制作工艺简单，也有利于盛放镀料。根据本技术，优选的，锥状开口具有帽檐结构，降低蒸镀角，减少镀料镀到镀膜机腔体上，提高镀料的使用率。根据本技术，优选的，帽檐结构覆盖整圈锥状开口。根据本技术，优选的，颗粒状镀料为铬、锡、银或者氧化硅。本技术的有益效果包括上述
技术实现思路
所描述的作用，提升了镀料的利用率，提高了镀膜工艺的镀膜均匀性，减少由于衬锅污染而造成的掉电极或者产品失效的异常。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。图1为本技术的
技术介绍
中传统衬锅的剖视示意图；图2为本技术的实施例1的衬锅的剖视示意图；图3为本技术的实施例2的衬锅的剖视示意图；图4为本技术的实施例2的镀膜示意图；图5和图6为本技术的实施例3的衬锅的剖视示意图。图中标示：100、衬锅；110、开口，120、侧壁，130、底部，140、帽檐，200、电子枪，210、电子束，α、开口角度。具体实施方式下面便结合附图对本技术若干具体实施例作进一步的详细说明。但以下关于实施例的描述及说明对本技术保护范围不构成任何限制。应当理解，本技术所使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，而不是旨在限制本技术。进一步理解，当在本技术中使用术语“包含”、"包括"时，用于表明陈述的特征、整体、步骤、组件、和/或封装件的存在，而不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、组件、封装件、和/或它们的组合的存在或增加。除另有定义之外，本技术所使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本技术所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。应进一步理解，本技术所使用的术语应被理解为具有与这些术语在本说明书的上下文和相关领域中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来理解，除本技术中明确如此定义之外。传统衬锅普遍存在一个问题，使用电子束或离子束等蒸镀，使镀料蒸发镀膜的硬件为蒸发源，镀源的中心区域能量最高，越往外能量越弱，使用后的衬锅底部内有明显镀料结块印记，这将使镀料的材料利用率差，导致镀料浪费，造成生产成本上升。参考图2，在本技术的第一个实施例中，提供一种镀膜治具，用于半导体晶片的镀膜工艺，治具为一种装填颗粒状镀料的衬锅，以颗粒状镀料为铬为例，利用电子束或离子束蒸发镀料对半导体晶片进行镀膜，镀膜治具具有锥状开口110，开口110的角度不大于75°，这里的开口角度指的是由两侧壁120构成的夹角，如图中角度α，进一步优选的，开口110的角度不大于60°。实际设计中，可预留一部分底部130，锥状开口的开口面积为锥状开口的底部面积的4至6倍，或者6倍以上，控制底部面积，减少底部热量积累导致镀料结块，对镀膜造成不良影响。参考图3和图4，在本技术的第二个实施例中，锥状开口110的侧壁120为阶梯状，更有利于盛放颗粒镀料，利用电子枪200的电子束210或者离子束有利于提升蒸发镀膜效率。参考图5和图6，在本技术的第三个实施例中，根据实施例1和实施例2的衬锅进一步改进，锥状开口110具有帽檐140结构，帽檐140结构覆盖整圈锥状开口，通过限制镀料蒸发的蒸镀角，提升镀料使用效率。以上实施方式仅用于说明本技术，而并非用于限定本技术，本领域的技术人员，在不脱离本技术的精神和范围的情况下，可以对本技术做出各种修饰和变动，因此所有等同的技术方案也属于本技术的范畴，本技术的专利保护范围应视权利要求书范围限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镀膜治具，用于半导体晶片的镀膜工艺，治具为一种装填颗粒状镀料的衬锅，利用电子束或离子束蒸发镀料对半导体晶片进行镀膜，其特征在于，镀膜治具具有锥状开口，开口的角度不大于75°。/n

【技术特征摘要】
1.一种镀膜治具，用于半导体晶片的镀膜工艺，治具为一种装填颗粒状镀料的衬锅，利用电子束或离子束蒸发镀料对半导体晶片进行镀膜，其特征在于，镀膜治具具有锥状开口，开口的角度不大于75°。


2.根据权利要求1所述的一种镀膜治具，其特征在于，开口的角度不大于60°。


3.根据权利要求1所述的一种镀膜治具，其特征在于，锥状开口的开口面积为锥状开口的底部面积的4至6倍，或者6...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐宏彬，邓有财，庄曜玮，吴霁圃，黄文嘉，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35