半导体装置用接合线制造方法及图纸

提供一种接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性，适合于车载用设备。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，接合线含有合计为0.1～100质量ppm的As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的1种以上的元素。由此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的1种以上时，能够提高在170℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成含有Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。

Bonding wires for semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
半导体装置用接合线本申请是申请号为201580002533.6、专利技术名称为“半导体装置用接合线”、申请日为2015年9月18日的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及为了将半导体元件上的电极和外部引线等电路布线基板的布线连接而被利用的半导体装置用接合线。
技术介绍
现在，作为将半导体元件上的电极与外部引线之间接合的半导体装置用接合线(以下称为接合线)，主要使用线径15～50μm左右的细线。接合线的接合方法一般为并用超声波的热压接方式，可使用通用接合装置、将接合线通到其内部而用于连接的毛细管工具等。接合线的接合工艺通过下述过程来完成：通过电弧热输入将线尖端加热熔融，利用表面张力形成球(FAB：FreeAirBall，无空气的球)后，使该球部压接接合于在150℃～300℃的范围内加热了的半导体元件的电极上(以下称为球接合)，接着，形成环路(loop)之后，将线部压接接合于外部引线侧的电极(以下称为楔接合)。作为接合线的接合对象的半导体元件上的电极可以使用在Si基板上形成了以Al为主体的合金膜的电极结构，外部引线侧的电极可以使用施加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，/n所述接合线含有选自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度合计为0.1～100质量ppm，Sn≤10质量ppm、Sb≤10质量ppm、Bi≤1质量ppm。/n

【技术特征摘要】
20150526 JP 2015-106368;20150605 JP PCT/JP2015/0661.一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，
所述接合线含有选自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度合计为0.1～100质量ppm，Sn≤10质量ppm、Sb≤10质量ppm、Bi≤1质量ppm。


2.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于线整体，选自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素的浓度合计为1～100质量ppm。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。


4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述Pd被覆层上还具有包含Au和Pd的合金表皮层。


5.根据权利要求4所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田隆，小田大造，榛原照男，宇野智裕，
申请(专利权)人：日铁新材料股份有限公司，日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP