一种改善蚀刻均匀性的曝光方法技术

本发明专利技术公开了一种改善蚀刻均匀性的曝光方法，涉及到蚀刻曝光方法技术领域，a、设备调试：准备曝光机，进行曝光前，需针对使用的曝光机以test模式各别做出不同曝光能量时间及各别焦距的矩阵图形，用以确认此曝光机单次曝光时，适用的能量时间及可用之焦距景深范围找出其适用曝光能量与中心焦距；b、进行曝光：确认适用曝光能量及中心焦距后可开始进行曝光；c、设定曝光区域：设定4寸芯片半径为50um，在设定的曝光条件下，划为3块区域，第一区域为中心至半径25um处；第二区域为半径25um处至半径40um处；第三区域为半径40um处至半径50um处；显影制程：完成曝光后，将完成曝光Sapphire wafer退出进行后续显影制程，具有均匀性更佳的特点。

An exposure method for improving etching uniformity

【技术实现步骤摘要】
一种改善蚀刻均匀性的曝光方法
本专利技术涉及蚀刻曝光方法
，特别涉及一种改善蚀刻均匀性的曝光方法。
技术介绍
蚀刻机主要应用于航空、机械、标牌工业中，蚀刻机技术广泛地被使用于减轻重量仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等之加工。在半导体和线路版制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。也可对各种金属如：铁、铜、铝、钛金、不锈钢、锌版、等金属和金属制品的表面蚀刻图纹、花纹、几何形状，并能精确镂空。也可专业针对各种型号的国产和进口不锈钢进行蚀刻和薄板切割，如今广泛应用于金卡标牌加工、手机按键加工、不锈钢滤网加工、不锈钢电梯装饰板加工、金属引线框加工、金属眼镜脚丝加工、线路板加工、装饰性金属板加工等工业用途。由于干式蚀刻机在腔体边缘与腔体中心蚀刻速率有所差异，导致蚀刻后芯片中心与外圈剖面结构差异较大，所以现在需要一种改善蚀刻均匀性的曝光方法来帮助解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改善蚀刻均匀性的曝光方法，以解决上述
技术介绍
中提出的蚀刻后芯片中心与外圈剖面结构差异较大的问题。<br>为实现上述目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善蚀刻均匀性的曝光方法，其特征在于：所述曝光方法包括以下步骤：/na、设备调试：准备曝光机，进行曝光前，需针对使用的曝光机以test模式各别做出不同曝光能量时间及各别焦距的矩阵图形，用以确认此曝光机单次曝光时，适用的能量时间及可用之焦距景深范围找出其适用曝光能量与中心焦距；/nb、进行曝光：确认适用曝光能量及中心焦距后可开始进行曝光；/nc、设定曝光区域：设定4寸芯片半径为50um，在设定的曝光条件下，划为3块区域，第一区域为中心至半径25um处；第二区域为半径25um处至半径40um处；第三区域为半径40um处至半径50um处；/nd、显影制程：完成曝光后，将完成曝光Sapphir...

【技术特征摘要】
1.一种改善蚀刻均匀性的曝光方法，其特征在于：所述曝光方法包括以下步骤：
a、设备调试：准备曝光机，进行曝光前，需针对使用的曝光机以test模式各别做出不同曝光能量时间及各别焦距的矩阵图形，用以确认此曝光机单次曝光时，适用的能量时间及可用之焦距景深范围找出其适用曝光能量与中心焦距；
b、进行曝光：确认适用曝光能量及中心焦距后可开始进行曝光；
c、设定曝光区域：设定4寸芯片半径为50um，在设定的曝光条件下，划为3块区域，第一区域为中心至半径25um处；第二区域为半径25um处至半径40um处；第三区域为半径40um处至半径50um处；
d、显影制程：完成曝光后，将完成曝光Sapphirewafer退出进行后续显影制程；
e、尺寸对比：完成显影制程后使用CD-SEM量测即可得所需尺寸大小与差异化PATTERN图形分布；
f、图形观察：使用CD-SEM观察变焦曝光显影后patternprofile，以治工具...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪文庆，
申请(专利权)人：锐捷光电科技江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32