筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值和预测其被曝光显影的风险的方法技术

本发明专利技术涉及一种筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值和预测其被曝光显影的风险的方法，涉及半导体制造技术，首先在测试版图上筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形，然后利用已建好的对应光刻工艺条件下的OPC光学模型模拟仿真计算得出光通过所筛选出的测试版图后各自的最大光强值Imax，随着CD的增大光强值Imax值也逐渐增加，然后在曝光、显影之后的硅片上检查这些光强值Imax值逐渐增大的版图在光刻胶上的显影情况，在光刻胶上将要显影所对应的光强值Imax值即为筛选出来的SRAF在光刻胶上显影的光强阈值，该方法能够在收集较少的数据情况下快速高效筛选出所有SRAF在该光刻工艺条件下在光刻胶上显影的光强阈值，减少工作量，提高工作效率。

Screening the light intensity threshold of sraf developed on photoresist and the method to predict the risk of exposure development

【技术实现步骤摘要】
筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值和预测其被曝光显影的风险的方法
本专利技术涉及半导体制造技术，尤其涉及一种筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法和预测其被曝光显影的风险的方法。
技术介绍
在半导体制造技术中，光刻曝光工艺是半导体制造技术中的常用工艺，将掩模板上的图形显影在光刻胶上，通过掩模板到达光刻胶表面的光强高于光刻胶的反应阈值，激活光刻胶中的光敏感成分，启动了光化学反应。光刻胶发生光学反应的光强阈值理论上与掩模板上的图形种类无关，光刻胶光化学反应的程度与到达光刻胶表面的光强有关。具体的，请参阅图1，图1为光强值(I)与光刻胶上曝光出图形大小的关系。随着技术节点的不断降低，通常会添加SRAF(Sub-resolution-assist-feature，亚分辨率曝光辅助图形)来提高光刻工艺的分辨率、图形的景深(DOF,depthoffocus)、半密集(semi-dense)及孤立(iso)图形的工艺窗口。然而SRAF存在着被曝光风险，因此要是能够提前仿真预测SRAF在光刻胶上被曝光出来的风险，不仅能够合理的优化SRAF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，包括：/nS1：在测试版图上筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形；/nS2：利用已建好的对应的光刻工艺条件下的OPC光学模型模拟仿真计算得出光通过所筛选出的所有孤立图形各自的最大光强值Imax；以及/nS3：在对应的光刻工艺条件下对测试版图掩模板进行曝光、显影，检测特征尺寸逐渐增大的孤立图形在光刻胶上的显影情况，然后筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形的版图将要在光刻胶上显影出来所对应的光强值Imax，该光强值Imax即为该光刻工艺条件下SRAF在光刻胶上显影的光强阈值。/n

【技术特征摘要】
1.一种筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，包括：
S1：在测试版图上筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形；
S2：利用已建好的对应的光刻工艺条件下的OPC光学模型模拟仿真计算得出光通过所筛选出的所有孤立图形各自的最大光强值Imax；以及
S3：在对应的光刻工艺条件下对测试版图掩模板进行曝光、显影，检测特征尺寸逐渐增大的孤立图形在光刻胶上的显影情况，然后筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形的版图将要在光刻胶上显影出来所对应的光强值Imax，该光强值Imax即为该光刻工艺条件下SRAF在光刻胶上显影的光强阈值。


2.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，在步骤S1中，孤立图形为在一定版图面积内，仅存在一个图形的图形。


3.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，在步骤S1中，从测试版图中设计的最小特征尺寸开始筛选。


4.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，在步骤S2中，最大光强值Imax随着孤立图形的特征尺寸逐渐增大而逐渐增大。


5.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，在步骤S3中，通过关键尺寸扫描电子显微镜检测特征尺寸逐渐增...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹先梅，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31