微影设备制造技术

一种微影设备包括极紫外(extreme ultraviolet；EUV)扫描器、耦合到EUV扫描器的EUV辐射源、石英晶体微量天平及回馈控制器。石英晶体微量天平设置在EUV辐射源及EUV扫描器中至少一者的内表面上。回馈控制器耦合到石英晶体微量天平及一或多个辐射源、液滴产生器及控制与EUV辐射源相关联的辐射源轨迹的光导元件中的一或更多者。

Microimage device

【技术实现步骤摘要】
微影设备
本揭露是关于一种半导体制造设备，特别是关于一种微影设备及极紫外辐射源的回授控制系统的控制方法。
技术介绍
对计算能力的需求呈指数级增长。经由增加半导体集成电路(integratedcircuit；IC)的功能密度，即每个晶片互连元件的数量，来满足计算能力的增加。随着功能密度的增加，晶片上个别元件的尺寸已经减小。集成电路中部件尺寸的减小已经随着诸如微影的半导体制造技术的进步而得到满足。例如，用于微影的辐射波长已经从紫外降至深紫外(deepultraviolet；DUV)，最近又降至极紫外(extremeultraviolet；EUV)。部件尺寸的进一步减小需要微影解析度的进一步提高，此提高可使用极紫外微影(extremeultravioletlithography；EUVL)实现。EUVL采用波长约为1-100纳米的辐射。产生EUV辐射的一种方法是激光产生电浆(laser-producedplasma；LPP)。在基于LPP的EUV光源中，高功率激光光束聚焦在小锡滴靶材上，形成高度游离的电浆，其发射EUV辐射，最大发射峰本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微影设备，其特征在于，包括：/n一极紫外扫描器；/n一极紫外辐射源，该极紫外源耦合到该极紫外扫描器；及/n一石英晶体微量天平，该石英晶体微量天平设置在该极紫外辐射源及该极紫外扫描器中至少一者的一内表面上。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/774,140;20191126 US 16/697,1491.一种微影设备，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠宏，简上傑，陈立锐，郑博中，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71