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本发明涉及一种筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值和预测其被曝光显影的风险的方法，涉及半导体制造技术，首先在测试版图上筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形，然后利用已建好的对应光刻工艺条件下的OPC光学模型模拟仿真计算得出光通过所筛选出的测试版...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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