基板固定装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板固定装置，其具有：底板；设置在所述底板上的发热部；及设置在所述发热部上的静电卡盘。其中，所述发热部具备：发热体；配置在比所述发热体还靠近所述静电卡盘的一侧的金属层；及对所述发热体和所述金属层进行覆盖的绝缘层。所述金属层由热传导率高于所述绝缘层的材料形成。

Base plate fixing device

【技术实现步骤摘要】
基板固定装置
本专利技术涉及一种基板固定装置。
技术介绍
现有技术中，制造IC、LSI等的半导体装置时所使用的成膜装置(例如，CVD装置、PVD装置等)或等离子蚀刻装置一般具有用于在真空处理室内对晶片(wafer)进行高精度保持的载台(stage)。作为这样的载台，例如提出了一种藉由安装在底板上的静电卡盘(chuck)对吸附对象即晶片进行吸附保持的基板固定装置。作为基板固定装置的一例，可列举出具有设置了用于对晶片的温度进行调节的发热体的结构的基板固定装置。在这样的基板固定装置中，发热体例如内置在与静电卡盘相邻设置的绝缘层中。专利文献1：日本特开2014-78731号公报然而，基板固定装置中存在发热体的厚度方向的偏差(不均)等会导致发热参差不齐，进而阻碍静电卡盘表面的温度均匀性的情况。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种可提高静电卡盘表面的温度均匀性的基板固定装置。根据本专利技术的一方面，提供一种基板固定装置，其特征在于，具有：底板；设置在所述底板上的发热部；及设置在所述发热部上的静电卡盘。所述发热部具备：发热体；配置在比所述发热体还靠近所述静电卡盘的一侧的金属层；及对所述发热体和所述金属层进行覆盖的绝缘层。所述金属层由热传导率高于所述绝缘层的材料形成。根据所公开的技术，能够提供一种可提高静电卡盘表面的温度均匀性的基板固定装置。附图说明图1是第1实施方式的基板固定装置的简略例示剖面图。r>图2A～图2D是第1实施方式的基板固定装置的制造步骤例示图(其1)。图3A～图3C是第1实施方式的基板固定装置的制造步骤例示图(其2)。图4A～图4B是第1实施方式的基板固定装置的制造步骤例示图(其3)。图5A～图5B是基板固定装置1的效果说明图。图6A～图6F是发热部上所设置的金属层的图案的变化例示图。其中，附图标记说明如下：1基板固定装置10底板15水路15a冷却水导入部15b冷却水排出部20粘接层30发热部31绝缘层32发热体33、33A、33B、33C、33D、33E、33F金属层40静电卡盘41基体41a载置面42静电电极311、312、313绝缘树脂膜具体实施方式以下参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。需要说明的是，各图中存在对相同构成部分赋予相同的符号，并对重复说明进行省略的情况。〈第1实施方式〉[基板固定装置的结构]图1是第1实施方式的基板固定装置的简略例示剖面图。参照图1。作为基板固定装置1的主要构成要素，基板固定装置1具有底板10、粘接层20、发热部30及静电卡盘40。底板10是用于对发热部30和/或静电卡盘40进行安装的部件。底板10的厚度例如可为20～50mm左右。底板10例如由铝形成，也可作为用于对等离子进行控制的电极等而使用。藉由向底板10供给预定的高频电力，以控制用于使所发生的处于等离子状态的离子等与吸附在静电卡盘40上的晶片进行冲撞的能量，可高效地进行蚀刻处理。底板10的内部设置有水路15。水路15的一端具有冷却水导入部15a，另一端具有冷却水排出部15b。水路15与设置在基板固定装置1的外部的冷却水控制装置(未图示)连接。冷却水控制装置(未图示)可从冷却水导入部15a将冷却水导入水路15，并可从冷却水排出部15b将冷却水排出。藉由使冷却水在水路15内循环以对底板10进行冷却，可对吸附在静电卡盘40上的晶片进行冷却。底板10上除了水路15之外还可设置用于导入对吸附在静电卡盘40上的晶片进行冷却的惰性气体的气路等。发热部30介由粘接层20固着在底板10上。作为粘接层20，例如可使用硅酮系粘接剂(siliconeadhesive)。粘接层20的厚度例如可为2mm左右。粘接层20的热传导率优选为2W/mK以上。粘接层20也可为多个(plural)粘接层进行了层叠的层叠结构。例如，藉由使粘接层20为对热传导率较高的粘接剂和弹性率较低的粘接剂进行了组合的两层结构，可获得能够降低与铝制底板之间的热膨胀差所引起的应力的效果。发热部30具有绝缘层31以及内置在绝缘层31中的发热体32和金属层33。绝缘层31覆盖在发热体32和金属层33的周围，由此可从外部对其进行保护。作为绝缘层31，例如可使用具有高热传导率和高耐热性的环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪(bismaleimidetriazine)树脂等。绝缘层31的热传导率优选为32W/mK以上。藉由使绝缘层31含有氧化铝(alumina)、氮化铝等的填充物，可提高绝缘层31的热传导率。此外，绝缘层31的玻璃转化温度(Tg)优选为250℃以上。另外，绝缘层31的厚度优选为100～150μm左右，绝缘层31的厚度偏差优选为±10％以下。就发热体32而言，藉由从基板固定装置1的外部被施加电压可进行发热，并可进行加热以使后述的基体41的载置面41a变为预定的温度。发热体32例如可将基体41的载置面41a的温度加热至250℃～300℃左右。作为发热体32的材料，例如可使用铜(Cu)、钨(W)、镍(Ni)、康铜(constantan)(Cu/Ni/Mn/Fe的合金)等。发热体32的厚度例如可为20～100μm左右。发热体32例如可为同心圆状的图案。需要说明的是，为了提高发热体32和绝缘层31之间的高温下的密着(密接)性，发热体32的至少一个表面(上下表面中的一个或两个)优选被进行了粗化处理。当然，也可对发热体32的上下的两个表面都进行粗化处理。此情况下，发热体32的上表面和下表面可使用不同的粗化方法。对粗化方法并无特别限定，但可列举出基于蚀刻的方法、使用偶联剂(couplingagent)系的表面改质技术的方法、使用基于波长355nm以下的UV-YAG激光的点加工(dotprocessing)的方法等。金属层33在绝缘层31内配置为比发热体32还靠近静电卡盘40的一侧。金属层33是用于对发热体32所发出的热量进行均匀扩散(对不均匀的发热状态进行缓和)的层，由热传导率高于绝缘层31的材料形成。作为金属层33的材料，例如可使用铜(Cu)、钨(W)、镍(Ni)、康铜(Cu/Ni/Mn/Fe的合金)等。金属层33的平面形状例如可为圆形。此情况下，金属层33的平面形状可形成为比绝缘层31的平面形状小一圈。金属层33的厚度例如可为20～100μm左右。金属层33和发热体32可由相同材料形成。金属层33的侧面和上下表面被绝缘层31进行了覆盖。这样，金属层33的侧面就不会露出至外部，由此可提高金属层33相对于等离子气体的耐腐蚀性。静电卡盘40暴露于等离子，所以如果相对于等离子气体的耐腐蚀性较低，则由发热体32和/或金属层33的成分和等离子气体所形成的反应生成物可变成颗粒(particle)并附着在基体41上，由此会产生污染等的不良本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板固定装置，具有：/n底板；/n设置在所述底板上的发热部；及/n设置在所述发热部上的静电卡盘，/n其中，/n所述发热部具备/n发热体；/n配置在比所述发热体还靠近所述静电卡盘的一侧的金属层；及/n对所述发热体和所述金属层进行覆盖的绝缘层，所述金属层由热传导率高于所述绝缘层的热传导率的材料形成。/n

【技术特征摘要】
20181130 JP 2018-2244831.一种基板固定装置，具有：
底板；
设置在所述底板上的发热部；及
设置在所述发热部上的静电卡盘，
其中，
所述发热部具备
发热体；
配置在比所述发热体还靠近所述静电卡盘的一侧的金属层；及
对所述发热体和所述金属层进行覆盖的绝缘层，所述金属层由热传导率高于所述绝缘层的热传导率的材料形成。


2.如权利要求1所述的基板固定装置，其中，
所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭岛信行，浅川浩行，竹元启一，原山洋一，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP