【技术实现步骤摘要】
基板固定装置
本专利技术涉及一种基板固定装置。
技术介绍
现有技术中，制造IC、LSI等的半导体装置时所使用的成膜装置(例如，CVD装置、PVD装置等)或等离子蚀刻装置一般具有用于在真空处理室内对晶片(wafer)进行高精度保持的载台(stage)。作为这样的载台，例如提出了一种藉由安装在底板上的静电卡盘(chuck)对吸附对象即晶片进行吸附保持的基板固定装置。作为基板固定装置的一例，可列举出具有设置了用于对晶片的温度进行调节的发热体的结构的基板固定装置。在这样的基板固定装置中，发热体例如内置在与静电卡盘相邻设置的绝缘层中。专利文献1：日本特开2014-78731号公报然而，基板固定装置中存在发热体的厚度方向的偏差(不均)等会导致发热参差不齐，进而阻碍静电卡盘表面的温度均匀性的情况。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种可提高静电卡盘表面的温度均匀性的基板固定装置。根据本专利技术的一方面，提供一种基板固定装置，其特征在于，具有：...
【技术保护点】
1.一种基板固定装置，具有：/n底板；/n设置在所述底板上的发热部；及/n设置在所述发热部上的静电卡盘，/n其中，/n所述发热部具备/n发热体；/n配置在比所述发热体还靠近所述静电卡盘的一侧的金属层；及/n对所述发热体和所述金属层进行覆盖的绝缘层，所述金属层由热传导率高于所述绝缘层的热传导率的材料形成。/n
【技术特征摘要】
20181130 JP 2018-2244831.一种基板固定装置，具有：
底板；
设置在所述底板上的发热部；及
设置在所述发热部上的静电卡盘，
其中，
所述发热部具备
发热体；
配置在比所述发热体还靠近所述静电卡盘的一侧的金属层；及
对所述发热体和所述金属层进行覆盖的绝缘层，所述金属层由热传导率高于所述绝缘层的热传导率的材料形成。
2.如权利要求1所述的基板固定装置，其中，
所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：饭岛信行，浅川浩行，竹元启一，原山洋一，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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