3D NAND存储器中存储沟道层的阶梯覆盖改进制造技术

3D NAND存储器中存储沟道层的阶梯覆盖改进。公开了用于NAND存储设备的材料层的蚀刻方法的实施例。一种化学蚀刻一个或多个衬底上的材料层的方法包括在浴槽中混合蚀刻剂溶液并使蚀刻剂溶液达到静止状态。在蚀刻剂溶液达到静止状态之后，该方法包括将一个或多个衬底送入浴槽中。一个或多个衬底包括多个开口，所述多个开口具有设置在所述多个开口的内表面上的材料层。该方法还包括使一个或多个衬底在浴槽中保留预定时间段，从而通过蚀刻剂溶液减小材料层的厚度。

Step coverage improvement of storage channel layer in 3D NAND memory

【技术实现步骤摘要】
3DNAND存储器中存储沟道层的阶梯覆盖改进本申请是申请日为2018年9月26日、申请号为201880001785.0、名称为“3DNAND存储器中存储沟道层的阶梯覆盖改进”的申请的分案申请。
本公开内容的实施例涉及三维(3D)存储设备及其制造方法。
技术介绍
闪存设备经历了快速发展。闪存设备可以在没有供电的情况下存储数据相当长的时间(即，它们是非易失性存储器的形式)，并且具有诸如高集成度、快速访问、易于擦除和重写的优点。为了进一步提高位密度并降低闪存设备的成本，已经开发出三维NAND闪存设备。一种三维NAND闪存设备，包括布置在衬底之上的栅电极堆叠层，其中多个半导体沟道穿过并与字线交叉，进入p型和/或n型注入衬底。底部/下部栅电极用作底部/下部选择栅极(BSG)。顶部/上部栅电极用作顶部/上部选择栅极(TSG)。后段制程(BEOL)金属起到位线(BL)的作用。顶部/上部选择栅电极和底部/下部栅电极之间的字线/栅电极用作字线(WL)。字线和半导体沟道的交叉点形成存储器单元。WL和BL通常彼此垂直放置(例如，在X方向和Y方向上)，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对一个或多个衬底上的材料层进行化学蚀刻的方法，包括：/n在浴槽中混合蚀刻剂溶液；/n使所述蚀刻剂溶液达到静止状态；/n在所述蚀刻剂溶液达到所述静止状态之后，将一个或多个管芯送入所述浴槽中，所述一个或多个管芯包括所述一个或多个衬底和在所述一个或多个衬底上的多个开口，所述多个开口具有设置在所述多个开口的内表面上的材料层；以及/n使所述一个或多个管芯在所述浴槽中保留预定时间段，从而通过所述蚀刻剂溶液减小所述材料层的厚度，以改进所述材料层的阶梯覆盖。/n

【技术特征摘要】
1.一种对一个或多个衬底上的材料层进行化学蚀刻的方法，包括：
在浴槽中混合蚀刻剂溶液；
使所述蚀刻剂溶液达到静止状态；
在所述蚀刻剂溶液达到所述静止状态之后，将一个或多个管芯送入所述浴槽中，所述一个或多个管芯包括所述一个或多个衬底和在所述一个或多个衬底上的多个开口，所述多个开口具有设置在所述多个开口的内表面上的材料层；以及
使所述一个或多个管芯在所述浴槽中保留预定时间段，从而通过所述蚀刻剂溶液减小所述材料层的厚度，以改进所述材料层的阶梯覆盖。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，混合所述蚀刻剂溶液包括混合含有铵、水和F2O2的溶液。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂溶液含有1:2:100的铵:水:F2O2的比率。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂溶液仅通过毛细作用移动到所述多个开口中。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻剂溶液在约五秒内填充所述多个开口。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述材料层包括多晶硅。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述一个或多个管芯送入所述浴槽中之前，所述材料层在所述多个开口的顶部部分处具有第一厚度，并且在所述多个开口的下部部分处具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述预定时间段之后，所述材料层的第一厚度与所述材料层的第二厚度基本相同。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定时间段小于1分钟。


10.根据权利要求1所述的方法，还包括：
从所述浴槽中移除所述一个或多个管芯；以及
清洗所述一个或多个管芯以去除任何过量的蚀刻剂溶液。


11.一种对一个或多个衬底上的材料层进行化学蚀刻的方法，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王二伟，杨永刚，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42