温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

3D NAND存储器中存储沟道层的阶梯覆盖改进。公开了用于NAND存储设备的材料层的蚀刻方法的实施例。一种化学蚀刻一个或多个衬底上的材料层的方法包括在浴槽中混合蚀刻剂溶液并使蚀刻剂溶液达到静止状态。在蚀刻剂溶液达到静止状态之后，该方法包括将...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。