一种整流模块制造技术

技术编号:24457059 阅读:45 留言:0更新日期:2020-06-10 15:51
本实用新型专利技术是一种整流模块,包括底板,底板上设有基板,基板上设有连接片A、连接片B和连接片C;连接片A上设有二极管芯片A和二极管芯片B,连接片B上设有二极管芯片C和二极管芯片D,连接片C上设有二极管芯片E和二极管芯片F;二极管芯片A、二极管芯片C和二极管芯片E上方通过连桥A连接,二极管芯片B、二极管芯片D和二极管芯片F上方通过连桥B连接;连桥A和连桥B上分别连接引出电极A和引出电极B。本实用新型专利技术的整流模块,将原有的5套零件整合为3套,不仅减少了冲床模具的数量,节省了加工成本,也为整流模块的装配带来了便利,提高装配效率20%。

A rectifier module

【技术实现步骤摘要】
一种整流模块
本技术涉及一种半导体器件,特别涉及一种整流模块。
技术介绍
整流模块由于零件多进而装配时间长,且由于零件规格较多,需要多套的加工模件,不仅增加了加工成本,也给整流模块的装配带来了不便。整流模块的芯片直接连接基板上,导致芯片工作时散热困难,常因芯片过热而出现故障。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的缺陷,本技术所要解决的技术问题提供一种整流模块,零件规格少,减少冲床模具数量,提高装配效率,且使芯片能够更好的散热。本技术解决上述技术问题的技术方案是:一种整流模块,包括底板,底板上设有基板,基板上设有连接片A、连接片B和连接片C;连接片A上设有二极管芯片A和二极管芯片B,连接片B上设有二极管芯片C和二极管芯片D,连接片C上设有二极管芯片E和二极管芯片F;二极管芯片A、二极管芯片C和二极管芯片E上方通过连桥A连接,二极管芯片B、二极管芯片D和二极管芯片F上方通过连桥B连接;连桥A和连桥B上分别连接引出电极A和引出电极B。所述基板为陶瓷覆铜板。所述连桥A和连桥B呈拱形。所述连桥A和引出电极A一体成型,所述连桥B引出电极B一体成型。本技术相对于现有技术的有益效果:1、本技术的整流模块,如图1所示,将原有的5套零件整合为3套,不仅减少了冲床模具的数量,节省了加工成本,也为整流模块的装配带来了便利,提高装配效率20%。2、本技术的整流模块,在基板和芯片之间设置连接片,不仅方便了装配,并且芯片在工作时热量可以从上下两个方向同时散失,散热速度更快。<br>附图说明图1本技术中原有整流模块的示意图;图2本技术实施例的示意图。具体实施方式以下结合附图说明对本技术的实施例作进一步详细描述,但本实施例并不用于限制本技术,凡是采用本技术的相似结构及其相似变化,均应列入本技术的保护范围。如图2所示,本技术实施例提供的一种整流模块,包括底板1,底板1上设有基板2,基板2上设有连接片A3、连接片B4和连接片C5;连接片A3上设有二极管芯片A6和二极管芯片B7,连接片B4上设有二极管芯片C8和二极管芯片D9,连接片C5上设有二极管芯片E10和二极管芯片F11;二极管芯片A6、二极管芯片C8和二极管芯片E10上方通过连桥A12连接,二极管芯片B7、二极管芯片D9和二极管芯片F11上方通过连桥B13连接;连桥A12和连桥B13上分别连接引出电极A14和引出电极B15。所述基板2为陶瓷覆铜板。所述连桥A12和连桥B13呈拱形。所述连桥A12和引出电极A14一体成型,所述连桥B13引出电极B15一体成型。以上所述,仅为本技术的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此,本技术的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流模块,其特征在于,包括底板(1),底板(1)上设有基板(2),基板(2)上设有连接片A(3)、连接片B(4)和连接片C(5);连接片A(3)上设有二极管芯片A(6)和二极管芯片B(7),连接片B(4)上设有二极管芯片C(8)和二极管芯片D(9),连接片C(5)上设有二极管芯片E(10)和二极管芯片F(11);二极管芯片A(6)、二极管芯片C(8)和二极管芯片E(10)上方通过连桥A(12)连接,二极管芯片B(7)、二极管芯片D(9)和二极管芯片F(11)上方通过连桥B(13)连接;连桥A(12)和连桥B(13)上分别连接引出电极A(14)和引出电极B(15)。/n

【技术特征摘要】
1.一种整流模块,其特征在于,包括底板(1),底板(1)上设有基板(2),基板(2)上设有连接片A(3)、连接片B(4)和连接片C(5);连接片A(3)上设有二极管芯片A(6)和二极管芯片B(7),连接片B(4)上设有二极管芯片C(8)和二极管芯片D(9),连接片C(5)上设有二极管芯片E(10)和二极管芯片F(11);二极管芯片A(6)、二极管芯片C(8)和二极管芯片E(10)上方通过连桥A(12)连接,二极管芯片B(7)、二极管芯片D(9)和二极管芯片F(11)上方通...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹剑龙宗瑞
申请(专利权)人:浙江世菱电力电子有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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