功率模块的封装结构制造技术

本发明专利技术揭露一种功率模块的封装结构，包括：散热基板；至少一第一功率器件，被配置于具有绝缘层的第一基板上，且所述第一基板被配置于所述散热基板上；至少一第二功率器件，其包括具有跳变电位的跳变电极，其中所述至少一第二功率器件被配置于具有绝缘层的至少一第二基板之上，且所述第二基板被配置于所述第一基板之上，以减小所述跳变电极与所述散热基板之间的寄生电容。本发明专利技术的功率模块的封装结构可减小功率模块跳变电极相对于散热基板的寄生电容，从而极大减小功率模块的在实际工作中的EMI噪声。

Packaging structure of power module

【技术实现步骤摘要】
功率模块的封装结构
本专利技术是关于功率模块的封装结构，特别是关于一种低EMI(Electro-MagneticInterference，电磁干扰)噪声的功率模块的封装结构。
技术介绍
随着电力电子器件朝着模块化、智能化的方向发展，各类IC芯片的集成度越来越高，功率密度也越来越大。功率半导体器件也取得了长足进步，朝着高温、高频、低功耗、高功率容量以及智能化、系统化的方向发展。同时，新结构、新工艺不断出现，以SiC为代表的功率半导体器件也得到了广泛应用，尤其在一些相对较大功率的应用场合，SiC功率模块的应用越来越多。常见的分离器件通常采用标准化的封装，其可以保证较高的可靠性和较低的成本，但是其内部存在较大的寄生参数(parasiticparameter)，使得其不适合应用于并联使用场合。而功率电子封装技术从解决模块的封装结构、模块内部芯片与基板互连等问题出发，可使各种元器件的不利寄生参数减小，同时具有更大的电流承载能力，减小模块体积重量，提高系统功率密度。目前的功率模块的封装形式按组装工艺和安装固定方法主要分为：压接式结构、焊接结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率模块的封装结构，其特征在于，包括：/n散热基板；/n至少一第一功率器件，被配置于具有绝缘层的第一基板上，且所述第一基板被配置于所述散热基板上；/n至少一第二功率器件，其包括具有跳变电位的跳变电极，其中所述至少一第二功率器件被配置于具有绝缘层的至少一第二基板之上，且所述第二基板被配置于所述第一基板之上，以减小所述跳变电极与所述散热基板之间的寄生电容。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率模块的封装结构，其特征在于，包括：
散热基板；
至少一第一功率器件，被配置于具有绝缘层的第一基板上，且所述第一基板被配置于所述散热基板上；
至少一第二功率器件，其包括具有跳变电位的跳变电极，其中所述至少一第二功率器件被配置于具有绝缘层的至少一第二基板之上，且所述第二基板被配置于所述第一基板之上，以减小所述跳变电极与所述散热基板之间的寄生电容。


2.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一基板为DBC基板；所述至少一第二基板为DBC基板。


3.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一基板还包括二金属层，所述二金属层分别设置于所述第一基板的所述绝缘层的上表面和下表面。


4.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述至少一第二基板还包括二金属层，所述二金属层分别设置于所述至少一第二基板的所述绝缘层的上表面和下表面。


5.根据权利要求3或4所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一基板的所述绝缘层的材料为陶瓷；所述至少一第二基板的所述绝缘层的材料为陶瓷。


6.根据权利要求3或4所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一基板的所述绝缘层的材料为AlN或SiN；所述至少一第二基板的所述绝缘层的材料为AlN或SiN。


7.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，至少一所述第一功率器件为二极管芯片，所述二极管芯片的阳极位于所述二极管芯片的上表面，所述二极管芯片的阴极位于所述二极管芯片的下表面；
或者，至少一所述第一功率器件为IGBT芯片，所述IGBT芯片的发射极和门极分别位于所述IGBT芯片的上表面，所述IGBT芯片的集电极位于所述IGBT芯片的下表面；
或者，至少一所述第一功率器件为MOSFET芯片，所述MOSFET芯片的源极和栅极分别位于所述MOSFET芯片的上表面，所述MOSFET芯片的漏极位于所述MOSFET芯片的下表面。


8.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，至少一所述第二功率器件为二极管芯片，所述二极管芯片的阳极位于所述二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：言超，陆益文，刘军，
申请(专利权)人：台达电子企业管理上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31