氮化镓半导体器件及其封装方法技术

本发明专利技术提供一种氮化镓半导体器件及其封装方法，氮化镓半导体器件包括晶体管、二极管、密封材料、第一电气互连件和第二电气互连件。晶体管包括第一基板、栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极均位于第一基板的正面。二极管包括第二基板、阳极和阴极，阳极和阴极中的至少一个位于第二基板的正面，第一基板的背面与第二基板的背面粘结固定。密封材料至少部分包裹晶体管和二极管，第一电气互连件将源极与阳极电连接，第二电气互连件将漏极与阴极电连接，第一电气互连件和第二电气互连件两者中的至少一个穿过密封材料。该氮化镓半导体器件能够减小寄生电感和寄生电阻，且能够缩小单颗芯片面积。

Gallium nitride semiconductor device and its packaging method

【技术实现步骤摘要】
氮化镓半导体器件及其封装方法
本专利技术涉及半导体器件领域，具体地说，是涉及一种氮化镓半导体器件及其封装方法。
技术介绍
桥式电路中，通常采用氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHighElectronMobilityTransistor,GaNHEMT)与二极管反并联，形成一个桥臂，二极管起到续流的作用。传统的封装方法为将这两颗芯片分别封装在两个封装件中然后在外部使用PCB板(印制电路板)实现电气连接，或者平行放置后封装在一个封装件中，使用引线实现电气连接。上述两种封装形式都会额外引入较大的寄生效应，不利于器件快速开关，从而损耗增加，影响器件性能的发挥，并且，传统的封方法制作的封装件占用面积较大，不利于系统设计。
技术实现思路
本专利技术的第一目的是提供一种能够减小寄生电感和寄生电阻，且能够缩小单颗芯片面积的氮化镓半导体器件。本专利技术的第二目的是提供一种上述氮化镓半导体器件的封装方法。本专利技术的第三目的是提供另一种上述氮化镓半导体器件的封装方法。为实现上述第一目的，本专利技术提供一种氮化镓半导体器件，包括晶体管、二极管、密封材料、第一电气互连件和第二电气互连件。晶体管包括第一基板、栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极均位于第一基板的正面。二极管包括第二基板、阳极和阴极，阳极和阴极中的至少一个位于第二基板的正面，第一基板的背面与第二基板的背面粘结固定。密封材料至少部分包裹晶体管和二极管，第一电气互连件将源极与阳极电连接，第二电气互连件将漏极与阴极电连接，第一电气互连件和第二电气互连件两者中的至少一个穿过密封材料。一个优选的方案是，二极管为横向PN结二极管或氮化镓二极管。进一步的方案是，密封材料中开设有两个穿玻通孔，第一电气互连件位于一个穿玻通孔内，第二电气互连件位于另一个穿玻通孔内。一个优选的方案是，第一基板与第二基板通过绝缘胶或焊膏粘结固定。一个优选的方案是，二极管为纵向PN结二极管。进一步的方案是，密封材料中开设有穿玻通孔，第一电气互连件位于穿玻通孔内，晶体管中开设有穿硅通孔，第二电气互连件位于穿硅通孔内。再进一步的方案是，第一基板的背面设置有第一金属层，第一金属层与漏极通过第二电气互连件电连接。第二基板的背面设置有与第一金属层电连接的第二金属层，第二金属层与阴极电连接。进一步的方案是，第一金属层与第二金属层通过导电胶粘结固定。再进一步的方案是，第二金属层与漏极通过第二电气互连件电连接。为实现上述第二目的，本专利技术提供一种氮化镓半导体器件的封装方法，封装方法包括：将第一基板的背面与第二基板的背面粘结固定；将第一基板的正面通过绝缘胶粘结在第一衬板上；在第一衬板与第二衬板之间填充密封材料，并将密封材料包裹在晶体管和二极管外；去除第一衬板和第二衬板，在绝缘胶上开设多个第一电极孔，在密封材料上靠近二极管一侧开设多个第二电极孔，在密封材料上开设两个穿玻通孔；在第一电极孔、第二电极孔和穿玻通孔内电镀铜，第一电极孔内的电镀铜形成栅极、源极和漏极，第二电极孔内的电镀铜形成阳极和阴极，穿玻通孔内的电镀铜形成第一电气互连件和第二电气互连件；印刷阻焊层。为实现上述第三目的，本专利技术提供一种氮化镓半导体器件的封装方法，封装方法包括：在晶体管上开设穿硅通孔，并通过电镀在穿硅通孔内形成第二电气互连件；在第一基板的背面电镀铜形成与第二电气互连件电连接的第一金属层，在第二基板的背面电镀铜形成第二金属层；将第一金属层与第二金属层之间通过导电胶粘结固定；将第一基板的正面通过绝缘胶粘结在第一衬板上；在第一衬板与第二衬板之间填充密封材料，并将密封材料包裹在晶体管和二极管外；去除第一衬板和第二衬板，在绝缘胶上开设多个第一电极孔，在密封材料上靠近二极管一侧开设一个第二电极孔，在密封材料上开设一个穿玻通孔；在第一电极孔、第二电极孔和穿玻通孔内电镀铜，第一电极孔内的电镀铜形成栅极、源极和漏极，第二电极孔内的电镀铜形成阳极，在穿玻通孔内的电镀铜形成第一电气互连件；印刷阻焊层。本专利技术的有益效果是，晶体管晶圆和二极管晶圆减薄切割后，采用嵌入式封装(embeddedpackage)的形式进行封装。在嵌入式封装的工艺过程中，将单颗晶体管和二极管芯片背靠背粘贴在一起，采用穿玻通孔技术(throughglassvia，TGV)或穿硅通孔技术(throughsiliconvia，TSV)将氮化镓半导体器件上下两侧的电极电气连接。该氮化镓半导体器件能够减小寄生电感和寄生电阻，充分利用芯片正反两面的面积，有利于缩小单颗芯片面积。附图说明图1是本专利技术氮化镓半导体器件第一实施例的结构示意图。图2是本专利技术氮化镓半导体器件第二实施例的结构示意图。图3是本专利技术氮化镓半导体器件第三实施例的结构示意图。以下结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明。具体实施方式氮化镓半导体器件第一实施例参见图1，本实施例的氮化镓半导体器件包括晶体管1、二极管2、密封材料3、第一电气互连件4和第二电气互连件5。晶体管1为氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)。晶体管1包括第一基板11、栅极(未图示)、源极13和漏极14，栅极、源极13和漏极14均位于第一基板11的正面111。二极管2为横向PN结二极管，二极管2包括第二基板21、阳极22和阴极23，阳极22和阴极23均位于第二基板21的正面211，第一基板11的背面112与第二基板21的背面212通过绝缘胶6或焊膏粘结固定。密封材料3至少部分包裹晶体管1和二极管2，第一电气互连件4将源极13与阳极22电连接，第二电气互连件5将漏极14与阴极23电连接，第一电气互连件4和第二电气互连件5均穿过密封材料3。密封材料3中开设有穿玻通孔31(throughglassvia，TGV)和穿玻通孔32，第一电气互连件4位于穿玻通孔31内，第二电气互连件5位于穿玻通孔32内。氮化镓半导体器件的封装方法包括：首先，将第一基板11的背面112与第二基板21的背面212粘结固定。接着，将第一基板11的正面111通过绝缘胶7粘结在第一衬板上。接着，在第一衬板与第二衬板之间填充密封材料3，并将密封材料3包裹在晶体管1和二极管2外。接着，去除第一衬板和第二衬板，在绝缘胶7上开设多个第一电极孔71，在密封材料3上靠近二极管2一侧开设第二电极孔30，并且在密封材料3上开设穿玻通孔31和穿玻通孔32。接着，在第一电极孔71、第二电极孔30、穿玻通孔31和穿玻通孔32内电镀铜，第一电极孔71内的电镀铜形成栅极、源极13和漏极14，第二电极孔30内的电镀铜形成阳极22和阴极23，穿玻通孔31内的电镀铜形成第一电气互连件4，在穿玻通孔32内的电镀铜形成第二电气互连件5。最后，印刷阻焊层9。氮化镓半导体器件第二实施例作为本专利技术氮化镓半导体器件第二实施例的说明，以下仅对与上述氮化镓半导体器件第一实施例的不同之处予以说明。参见图2，本实施例中二极管220为氮化镓二极管。氮化镓半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.氮化镓半导体器件，其特征在于，包括：/n晶体管，所述晶体管包括第一基板、栅极、源极和漏极，所述栅极、所述源极和所述漏极均位于所述第一基板的正面；/n二极管，所述二极管包括第二基板、阳极和阴极，所述阳极和所述阴极中的至少一个位于所述第二基板的正面，所述第一基板的背面与所述第二基板的背面粘结固定；/n密封材料，所述密封材料至少部分包裹所述晶体管和所述二极管；/n第一电气互连件，所述第一电气互连件将所述源极与所述阳极电连接；/n第二电气互连件，所述第二电气互连件将所述漏极与所述阴极电连接；/n所述第一电气互连件和所述第二电气互连件两者中的至少一个穿过所述密封材料。/n

【技术特征摘要】
1.氮化镓半导体器件，其特征在于，包括：
晶体管，所述晶体管包括第一基板、栅极、源极和漏极，所述栅极、所述源极和所述漏极均位于所述第一基板的正面；
二极管，所述二极管包括第二基板、阳极和阴极，所述阳极和所述阴极中的至少一个位于所述第二基板的正面，所述第一基板的背面与所述第二基板的背面粘结固定；
密封材料，所述密封材料至少部分包裹所述晶体管和所述二极管；
第一电气互连件，所述第一电气互连件将所述源极与所述阳极电连接；
第二电气互连件，所述第二电气互连件将所述漏极与所述阴极电连接；
所述第一电气互连件和所述第二电气互连件两者中的至少一个穿过所述密封材料。


2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述二极管为横向PN结二极管或氮化镓二极管。


3.根据权利要求2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述密封材料中开设有两个穿玻通孔，所述第一电气互连件位于一个所述穿玻通孔内，所述第二电气互连件位于另一个所述穿玻通孔内。


4.根据权利要求1至3任一项所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第一基板与所述第二基板通过绝缘胶或焊膏粘结固定。


5.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述二极管为纵向PN结二极管。


6.根据权利要求5所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述密封材料中开设有穿玻通孔，所述第一电气互连件位于所述穿玻通孔内；
所述晶体管中开设有穿硅通孔，所述第二电气互连件位于所述穿硅通孔内。


7.根据权利要求6所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第一基板的背面设置有第一金属层，所述第一金属层与所述漏极通过所述第二电气互连件电连接；
所述第二基板的背面设置有与所述第一金属层电连接的第二金属层，所述第二金属层与所述阴极电连接。


8.根据权利要求7所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：

【专利技术属性】
技术研发人员：姚卫刚，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32