DC/DC电源模块的PCB布局结构制造技术

本技术提供一种DC/DC电源模块的PCB布局结构，所述PCB包括：正面和背面，所述PCB的正面包括驱动单元、输入单元和开关控制单元，所述开关控制单元设置在所述驱动单元的上侧，所述输入单元设置在所述开关控制单元的左侧，所述PCB的背面包括输出单元和电感单元，所述电感单元设置在所述输出单元的右侧，所述开关控制单元通过所述电感单元与所述输出单元连接。本技术通过PCB紧凑布局，极大减小寄生电感影响，提高抗扰性，充分发挥出氮化镓晶体管寄生结电容小的优势，将开关频率提高到10MHz，实现了超高频、超高功率密度电源模块。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及pcb布局，尤其涉及一种dc/dc电源模块的pcb布局结构。

技术介绍

1、dc/dc（direct current/direct current，直流-直流）电源模块是一种用于将直流电压转换为不同电平的直流电压的电子设备，主要功能是实现能量转换和电源调节，使得输入电压能够以一定的电流水平被稳定地转换为所需的输出电压，可为专用集成电路（application specific integrated circuit，asic）、数字信号处理器（digital signalprocessing，dsp）、微处理器、存储器、现场可编程门阵列（field programmable gatearray，fgpa）及其他数字或模拟负载供电。

2、硅mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）是一种基于硅材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管，是现代电子设备中最常用的功率开关器件之一。然而，传统硅mosfet寄生结电容大，开关时间长，开关损耗大，不适用于超高频电路，开关频率一般低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种DC/DC电源模块的PCB布局结构，其特征在于，所述PCB包括：

2.根据权利要求1所述的DC/DC电源模块的PCB布局结构，其特征在于，所述开关控制单元包括上管氮化镓晶体管和下管氮化镓晶体管，所述上管氮化镓晶体管设置在所述驱动单元的左上侧，所述下管氮化镓晶体管设置在所述驱动单元的右上侧，所述输入单元设置在所述上管氮化镓晶体管的左侧，所述上管氮化镓晶体管和所述下管氮化镓晶体管通过所述电感单元与所述输出单元连接。

3.根据权利要求2所述的DC/DC电源模块的PCB布局结构，其特征在于，所述上管氮化镓晶体管的漏极与所述输入单元连接，所述上管氮化镓晶体管的源极与...

【技术特征摘要】

1.一种dc/dc电源模块的pcb布局结构，其特征在于，所述pcb包括：

2.根据权利要求1所述的dc/dc电源模块的pcb布局结构，其特征在于，所述开关控制单元包括上管氮化镓晶体管和下管氮化镓晶体管，所述上管氮化镓晶体管设置在所述驱动单元的左上侧，所述下管氮化镓晶体管设置在所述驱动单元的右上侧，所述输入单元设置在所述上管氮化镓晶体管的左侧，所述上管氮化镓晶体管和所述下管氮化镓晶体管通过所述电感单元与所述输出单元连接。

3.根据权利要求2所述的dc/dc电源模块的pcb布局结构，其特征在于，所述上管氮化镓晶体管的漏极与所述输入单元连接，所述上管氮化镓晶体管的源极与所述电感单元的一端连接，所述下管氮化镓晶体管的漏极与所述电感单元的一端连接，所述下管氮化镓晶体管的源极与地连接。

4.根据权利要求1-3任一项所述的dc/dc电源模块的pcb布局结构，其特征在于，所述电感单元为一电感元件。

5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋苗，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：