一种双单管激励加嵌位二极管的IGBT模块制造技术

本实用新型专利技术属于功率半导体技术领域，涉及一种双单管激励加嵌位二极管的IGBT模块，包括：第一晶体三极管、第二晶体三极管、第一电压嵌位二极管、第二电压嵌位二极管、第一续流二极管和第二续流二极管，所述第一晶体三极管的发射极与第一续流二极管的正极、第二电压嵌位二极管的正极连接，所述第一晶体三极管的集电极与第一续流二极管的负极、第一电压嵌位二极管的正极连接，所述第一电压嵌位二极管的负极与第二续流二极管的负极共同连接至第二晶体三极管的集电极，所述第二续流二极管的正极与第二电压嵌位二极管的负极共同连接至第二晶体三极管的发射极。本实用新型专利技术解决了VMOS管耐压等级限制的弊端，且构成体积小，成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种双单管激励加嵌位二极管的IGBT模块


[0001]本技术属于功率半导体
，涉及一种双单管激励加嵌位二极管的IGBT模块。

技术介绍

[0002]现有功率器件品种较多，但适用于大功率高电压和高频率应用的功率器件均受到不同的材料、制造成本和技术的限制。现有适用于高频逆变功率器件主要有VMOS、IGBT和碳化硅技术产生的新器件。
[0003]VMOS是最利于适用于高频功率变换的，其频率高，导通损耗低。但其耐压等级限制在一个等级范围内，相对于380V的三相供电电压等级应用是不适用的。虽有电气技术可以实现高压大功率成熟应用，但作为限于民用工业用大规模化产品其成本构成是不适用的。VMOS的电气构造原理限制了其耐压等级。
[0004]IGBT是在结合晶体管与MOS管二者优势派生的一种十分适用于超大功率逆变应用的一种器件，推动了逆变功率产品的飞跃进步。现有成熟应用产品分单管封装和模块两大类。
[0005]其中单管封装IGBT高频性能型英飞凌产第三代高速系列单管封装IGBT可达到70KHz开关频率而保有额定电气参数；普及化规模化生产应用晶圆也至少达到40KHz开关频率而保有额定电气参数。模块封装IGBT一般300A以下是半桥封装形式。在超音频（20KHz）范畴应用十分稳定可靠，各项损耗总值相对偏低。但超过这个范畴损耗明显增大，即不再适用。模块封装IGBT的电气构成原理限制了其开关频率等级。且常规工艺条件实现IGBT单管的安装固定时，借用PCB的合理化布局和相关的IGBT单管连接。借用绝缘布将IGBT带电极板于散热器紧贴安装。甚至通过一定的电气处置，将散热器进行合理的分割，使IGBT单管直接贴装于散热器。这些是作为现有IGBT单管安装工艺能够做到最好的保障了。但是，在爬电距离、安装张紧度一致性上都不能得到可靠保障。基于设计PCB基板、PCB绝缘铝基板、PCB绝缘铝基板设计与成品IGBT单管进行二次真空焊接、散热器的配套采用及整机布局等诸多环节的紧密配合，造就该工艺实施的产品不能够成为批量化民用产品选择。

技术实现思路

[0006]为了解决现有技术中存在的上述技术问题，本技术提出了一种双单管激励加嵌位二极管的IGBT模块，其具体技术方案如下：
[0007]一种双单管激励加嵌位二极管的IGBT模块，包括第一晶体三极管、第二晶体三极管、第一电压嵌位二极管、第二电压嵌位二极管、第一续流二极管和第二续流二极管。
[0008]进一步的，所述第一晶体三极管的发射极与第一续流二极管的正极、第二电压嵌位二极管的正极连接，所述第一晶体三极管的集电极与第一续流二极管的负极、第一电压嵌位二极管的正极连接，所述第一电压嵌位二极管的负极与第二续流二极管的负极共同连接至第二晶体三极管的集电极，所述第二续流二极管的正极与第二电压嵌位二极管的负极
共同连接至第二晶体三极管的发射极。
[0009]本技术的优点：
[0010]本技术技术是采用双单管技术并结合双嵌位二极管形式，解决了VMOS管耐压等级限制的弊端，且构成体积小，成本低。
附图说明
[0011]图1是本技术的IGBT模块电路原理图。
具体实施方式
[0012]为了使本技术的目的、技术方案和技术效果更加清楚明白，以下结合说明书附图，对本技术作进一步详细说明。
[0013]如图1所示，一种双单管激励加嵌位二极管的IGBT模块，包括第一晶体三极管Q1、第二晶体三极管Q2、第一电压嵌位二极管D3、第二电压嵌位二极管D4、第一续流二极管D1和第二续流二极管D2。
[0014]所述第一晶体三极管Q1的发射极与第一续流二极管D1的正极、第二电压嵌位二极管D4的正极连接，所述第一晶体三极管Q1的集电极与第一续流二极管D1的负极、第一电压嵌位二极管D3的正极连接，所述第一电压嵌位二极管D3的负极与第二续流二极管D2的负极共同连接至第二晶体三极管Q2的集电极，所述第二续流二极管D2的正极与第二电压嵌位二极管D4的负极共同连接至第二晶体三极管Q2的发射极。
[0015]以上所述，仅为本技术的优选实施案例，并非对本技术做任何形式上的限制。虽然前文对本技术的实施过程进行了详细说明，对于熟悉本领域的人员来说，其依然可以对前述各实例记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行同等替换。凡在本技术精神和原则之内所做修改、同等替换等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双单管激励加嵌位二极管的IGBT模块，其特征在于，包括第一晶体三极管、第二晶体三极管、第一电压嵌位二极管、第二电压嵌位二极管、第一续流二极管和第二续流二极管，所述第一晶体三极管的发射极与第一续流二极管的正极、第二电压嵌位二极管的正极连接，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹剑龙，宗瑞，
申请(专利权)人：浙江世菱电力电子有限公司，
类型：新型
国别省市：