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本实用新型属于功率半导体技术领域，涉及一种双单管激励加嵌位二极管的IGBT模块，包括：第一晶体三极管、第二晶体三极管、第一电压嵌位二极管、第二电压嵌位二极管、第一续流二极管和第二续流二极管，所述第一晶体三极管的发射极与第一续流二极管的正极、...
该专利属于浙江世菱电力电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江世菱电力电子有限公司授权不得商用。

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