光半导体装置用封装、光半导体装置及光半导体装置用封装的制造方法制造方法及图纸

光半导体装置用封装(10)具备电路基板(14)，该基板在光半导体元件搭载区域(16)中依次层叠有：具有第1标准电极电位的第1金属(11)；第2金属(12)，其形成于第1金属(11)的上表面的一部分，且具有大于第1标准电极电位的第2标准电极电位；和第3金属(13)，其形成于第1金属(11)及第2金属(12)的上表面，并且具有大于第1标准电极电位且小于第2标准电极电位的第3标准电极电位。

Packaging for optical semiconductor devices, optical semiconductor devices and packaging manufacturing methods for optical semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体装置用封装、光半导体装置及光半导体装置用封装的制造方法
本专利技术涉及光半导体装置用封装、光半导体装置及光半导体装置用封装的制造方法，特别是涉及防止在长时间使用的情况下的光半导体装置的劣化的技术。
技术介绍
在以往的光半导体装置用封装中，在被外围树脂包围的区域(以下也称为“光半导体元件搭载区域”)的最表层(即搭载光半导体元件的底面)形成有银覆膜作为反射覆膜。该区域发挥使光在光半导体装置用封装的外侧高效地反射而提高发光效率的作用。需要说明的是，在本说明书中，将发光元件及受光元件等光半导体称为光半导体元件，将用于搭载光半导体元件的封装本身称为光半导体装置用封装，将搭载有光半导体元件的光半导体装置用封装整体(将光半导体元件与光半导体装置用封装合并而得到的装置)称为光半导体装置。作为光半导体装置用封装的银覆膜的层构成，大多是在铜或铜合金上形成银镀层(例如参照专利文献1)。然而，这样的层构成的银镀层存在下述问题：由于因光半导体装置的长时间使用所引起的发热的影响而导致基底金属的铜扩散到银镀层表面，从而银镀层表面变色为铜色而导致反射率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光半导体装置用封装，其是用于搭载光半导体元件的光半导体装置用封装，其具备：/n电路基板；和/n包含白色颜料的壁部，其形成于所述电路基板上，且将搭载所述光半导体元件的所述电路基板上的区域的外周包围，/n其中，所述电路基板由下述金属构成：/n具有第1标准电极电位的第1金属；/n第2金属，其形成于所述第1金属的上表面的一部分，且具有大于所述第1标准电极电位的第2标准电极电位；和/n第3金属，其层叠于所述第1金属的上表面及所述第2金属的上表面，并且具有大于所述第1标准电极电位且小于所述第2标准电极电位的第3标准电极电位。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171025 JP 2017-2062581.一种光半导体装置用封装，其是用于搭载光半导体元件的光半导体装置用封装，其具备：
电路基板；和
包含白色颜料的壁部，其形成于所述电路基板上，且将搭载所述光半导体元件的所述电路基板上的区域的外周包围，
其中，所述电路基板由下述金属构成：
具有第1标准电极电位的第1金属；
第2金属，其形成于所述第1金属的上表面的一部分，且具有大于所述第1标准电极电位的第2标准电极电位；和
第3金属，其层叠于所述第1金属的上表面及所述第2金属的上表面，并且具有大于所述第1标准电极电位且小于所述第2标准电极电位的第3标准电极电位。


2.根据权利要求1所述的光半导体装置用封装，其中，所述白色颜料由氧化钛构成。


3.根据权利要求1或2所述的光半导体装置用封装，其中，所述第2金属形成于层叠方向上的所述第1金属与所述第3金属之间。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体装置用封装，其中，所述第1金属由铜或铜合金构成。

【专利技术属性】
技术研发人员：福永隆博，橘高明信，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP