堆叠元件制造技术

提供一种堆叠元件及用于元件的布局设计方法，该元件包括两个或两个以上相同结构。每一元件可具有第一晶粒、堆叠在该第一晶粒上的第二晶粒，及堆叠在该第二晶粒上的第三晶粒。第二晶粒可包括第一穿透硅通孔(TSV)及第一电路，且第三晶粒包括第二TSV及第二电路。第一TSV及第二TSV可线性共同延伸。第一及第二电路可各自为逻辑电路，该逻辑电路具有用于产生晶粒识别符的比较器及计数器。相应元件晶粒的计数器可在晶粒之间串列连接。每一晶粒可使用相同遮罩制造，但保留唯一的逻辑识别符。晶粒堆叠中的给定晶粒可因此通过相同晶粒布局中的单个路径定址。

stack element

【技术实现步骤摘要】
堆叠元件
本揭露是有关于一种堆叠元件。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit；IC)的制造需要遮罩技术，诸如使用光罩以蚀刻且处理电路设计。然而，归因于不断减小且更加复杂的集成电路要求，元件设计比以往任何时候都具有挑战性。在固定集成电路空间中所需的电路元件的数目愈来愈复杂。结果，尤其随着集成电路设计缩小，用于进阶集成电路制程的光罩集的成本已大体上增加。随着不断上升的遮罩产生成本为集成电路晶片费用中的不断增加的因素，节省遮罩成本为集成电路设计的重点。同样地，当新的集成电路设计需要工程变更命令(engineeringchangeorder；ECO)时，遮罩成本可具有很大贡献。为了进行晶片位准的增量变化，设计可并入备用或虚设的单元，包括未使用的导线或金属以最小化对仅金属ECO中的新遮罩的需求。然而，在使用虚设线及类似者中所涉及的冗余并未降低封装位准的遮罩成本。
技术实现思路
根据本揭露的一些实施例，一种堆叠元件包含第一晶粒、第二晶粒以及第三晶粒。第二晶粒堆叠在第一晶粒上。第二晶粒包含第一穿透硅通孔(TSV)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种堆叠元件，其特征在于，包含：/n一第一晶粒；/n一第二晶粒，堆叠在该第一晶粒上，其中该第二晶粒包含：/n一第一穿透硅通孔(TSV)；以及/n一第一电路；以及/n一第三晶粒，堆叠在该第二晶粒上，其中该第三晶粒包含：/n一第二TSV；以及/n一第二电路，/n其中该第一TSV及该第二TSV线性共同延伸。/n

【技术特征摘要】
20181128 US 62/772,391;20190802 US 16/530,6311.一种堆叠元件，其特征在于，包含：
一第一晶粒；
一第二晶粒，堆...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丰愿，刘钦洲，钱清河，黄博祥，曾嘉辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71