一种晶圆键合加压装置及晶圆键合设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆键合加压装置，所述晶圆键合加压装置包括压头及压头台座；所述压头台座朝向所述晶圆键合加压装置的置物台的表面上具有腔体，所述腔体的底面为弧形底面；所述压头为球形压头、椭球形压头或卵形压头；所述压头设置于所述腔体内部；所述压头可在所述腔体内滚动，且所述压头保持有部分处于腔体开口外侧。本发明专利技术提供的晶圆键合加压装置，在对晶圆加压的过程中，由于上述底面对上述压头的力与上述待键合晶圆对上述压头的力不处于同一直线上，减小了上述待键合晶圆在加压过程中受到的冲量，降低上述待键合晶圆表面损伤和破碎的概率，提升了最终成品的良品率，降低了原料成本。本发明专利技术还同时提供一种具有上述有益效果的晶圆键合设备。

A wafer bonding pressure device and wafer bonding equipment

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆键合加压装置及晶圆键合设备
本专利技术涉及半导体键合领域，特别是涉及一种晶圆键合加压装置及晶圆键合设备。
技术介绍
随着集成电路的发展，绝缘体硅(SOI)技术被业界公认为纳米技术时代取代现有单晶硅材料的解决方案之一，是维持摩尔定律走势的一大利器。SOI材料是SOI技术发展的基础，高质量的SOI材料一直是制约SOI技术进入大规模工业生产的首要因素。近年来，随着SOI材料制备技术的不断成熟，制约SOI技术发展的材料问题正逐步被解决。SOI材料的制备技术归根结底包括两种，即以离子注入为代表的注氧隔离技术(Sepration-by-oxygenimplantation,即SIMOX)和晶圆键合技术。SIMOX技术需要高温离子注入和后续超高温退火，这种技术会对SIMOX材料有损坏。由于材料质量的稳定性没有保证，导致最终成品的良品率下降从而使得成本在增加。晶圆键合技术(WaferBonding)是利用两片镜面抛光的、干净的晶圆表面结合在一起。采用晶圆键合与减薄技术形成SOI结构时，不仅具有工艺简单、成本低廉、对器件无损伤等优点，且制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆键合加压装置，其特征在于，所述晶圆键合加压装置包括压头及压头台座；/n所述压头台座朝向所述晶圆键合加压装置的置物台的表面上具有腔体，所述腔体的底面为弧形底面；/n所述压头为球形压头、椭球形压头或卵形压头；/n所述压头设置于所述腔体内部；/n所述压头可在所述腔体内滚动，且所述压头保持有部分处于腔体开口外侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合加压装置，其特征在于，所述晶圆键合加压装置包括压头及压头台座；
所述压头台座朝向所述晶圆键合加压装置的置物台的表面上具有腔体，所述腔体的底面为弧形底面；
所述压头为球形压头、椭球形压头或卵形压头；
所述压头设置于所述腔体内部；
所述压头可在所述腔体内滚动，且所述压头保持有部分处于腔体开口外侧。


2.如权利要求1所述的晶圆键合加压装置，其特征在于，所述腔体为球形腔体。


3.如权利要求1所述的晶圆键合加压装置，其特征在于，所述压头台座包括固定槽及压头固定器，所述固定槽朝向所述置物台的表面上具有底面为弧形的凹槽；
所述压头固定器设置于所述固定槽朝向所述置物台的表面，所述压头...

【专利技术属性】
技术研发人员：王盛凯，王英辉，
申请(专利权)人：中科院微电子研究所昆山分所，
类型：发明
国别省市：江苏;32