一种多层表面贴装熔断器制造技术

本发明专利技术公开了一种多层表面贴装熔断器，包括自上而下依次设置的上挡板、中间板以及下挡板；所述上挡板上设有上位通孔与上位凹槽，所述中间板上设有中位通孔以及穿插在所述中位通孔内的熔体，所述下挡板上设有下位通孔与下位凹槽，所述下挡板与所述上挡板以所述中间板中心位置处为原点呈中心对称设置。本发明专利技术通过中间板实现对熔体的固定与支撑作用，提高了熔断器整体的可靠性，通过熔体在中位通孔的穿插，在熔断器规格相同时，熔体材质一致的情况下，相较于传统单根直线型结构的熔体横截面积更大，能够有效增强熔体的强度，增加了端头焊接的面积，从而提高了熔断器整体的可靠性。

A multilayer surface mount fuse

【技术实现步骤摘要】
一种多层表面贴装熔断器
本专利技术属于熔断器
，尤其涉及一种多层表面贴装熔断器。
技术介绍
随着电子产品的功率越来越大，导致工作电流和故障电流都较大，需要熔断器的额定电流越来越大。传统的熔断器往往采用的是单根直线型结构的熔体，这种熔体的横截面积较小，导致熔体的强度低，当熔断器的规格相同、熔体的材质一致时，这种单根直线型的熔体结构将会大大降低熔断器的整体可靠性。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术的不足，提供一种多层表面贴装熔断器，以解决现有技术中存在的问题。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种多层表面贴装熔断器，包括自上而下依次设置的上挡板、中间板以及下挡板；所述上挡板上设有上位通孔与上位凹槽，所述中间板上设有中位通孔以及穿插在所述中位通孔内的熔体，所述下挡板上设有下位通孔与下位凹槽，所述下挡板与所述上挡板以所述中间板中心位置处为原点呈中心对称设置。本专利技术一个较佳实施例中，所述中位通孔在所述中间板上呈行列分布，所述熔体在所述中位通孔内呈交替穿插。本专利技术一个较佳实施例中，所述中间板两端设置有端电极，所述端电极上设置有电极通孔。本专利技术一个较佳实施例中，所述熔体一端位于所述上位凹槽内，另一端位于所述下位凹槽内。本专利技术一个较佳实施例中，所述熔体端头与所述端电极焊接。本专利技术一个较佳实施例中，还包括绝缘基板；一绝缘基板压合在所述上挡板上，另一绝缘基板压合在所述下挡板上。本专利技术解决了
技术介绍
中存在的缺陷，本专利技术具备以下有益效果：本专利技术通过中间板实现对熔体的固定与支撑作用，提高了熔断器整体的可靠性，通过熔体在中位通孔的穿插，在熔断器规格相同时，熔体材质一致的情况下，相较于传统单根直线型结构的熔体横截面积更大，能够有效增强熔体的强度，增加了端头焊接的面积，从而提高了熔断器整体的可靠性。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明；图1为本专利技术优选实施例上挡板的结构示意图；图2为本专利技术优选实施例中间板的结构示意图；图3为本专利技术优选实施例下挡板的结构示意图；图4为本专利技术优选实施例熔体与中间板配合的结构示意图；图5为本专利技术实施例一的剖视结构图；图6为本专利技术实施例二的剖视结构图；图7为本专利技术实施例三的剖视结构图；图8为本专利技术实施例四的剖视结构图；图中：1、上挡板；11、上位通孔；12、上位凹槽；2、中间板；21、中位通孔；3、下挡板；31、下位通孔；32、下位凹槽；4、熔体；5、端电极；51、电极通孔；6、绝缘基板；7、灭弧材料。具体实施方式现在结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。实施例一如图1至图5所示，一种多层表面贴装熔断器，包括自上而下依次设置的上挡板1、中间板2以及下挡板3；上挡板1上设有上位通孔11与上位凹槽12，中间板2上设有中位通孔21以及穿插在中位通孔21内的熔体4，下挡板3上设有下位通孔31与下位凹槽32，下挡板3与上挡板1以中间板2中心位置处为原点呈中心对称设置。在本实施例中，首先将熔体4依次穿插在中间板2的中位通孔21内，穿插过程中，将熔体4一端端头放置于上挡板1的上位凹槽12内，另一端端头放置于下挡板3的下位凹槽32内，采用焊接的方式将熔体4的端头与中间板2的端电极5焊接，焊接后，将上挡板1、中间板2、下挡板3依次压合在一起，而后再将绝缘基板6分别压合在上挡板1与下挡板3上。具体地，本实施例中采用的焊接方式为锡焊，而熔体4的材质为铜。在本实施例中，中位通孔21在中间板2上呈行列分布，熔体4在中位通孔21内呈交替穿插。具体地，中间板2两端设置有端电极5，端电极5上设置有电极通孔51，从而使熔体4端头能够顺利进入上位凹槽12与下位凹槽32内。在本实施例中，熔体4一端位于上位凹槽12内，另一端位于下位凹槽32内。在本实施例中，熔体4端头与端电极5焊接。在本实施例中，还包括绝缘基板6；一绝缘基板6压合在上挡板1上，另一绝缘基板6压合在下挡板3上。实施例二如图1至图4以及图6所示，一种多层表面贴装熔断器，包括自上而下依次设置的上挡板1、中间板2以及下挡板3；上挡板1上设有上位通孔11与上位凹槽12，中间板2上设有中位通孔21以及穿插在中位通孔21内的熔体4，下挡板3上设有下位通孔31与下位凹槽32，下挡板3与上挡板1以中间板2中心位置处为原点呈中心对称设置。在本实施例中，首先将熔体4依次穿插在中间板2的中位通孔21内，穿插过程中，将熔体4一端端头放置于上挡板1的上位凹槽12内，另一端端头放置于下挡板3的下位凹槽32内，采用焊接的方式将熔体4的端头与中间板2的端电极5焊接，焊接后，将上挡板1、中间板2、下挡板3依次压合在一起，而后再将绝缘基板6压合下挡板3上，而后向上挡板1内填充灭弧材料7，直至完全填满，填满后，再将绝缘基板6压合在上挡板1上。具体地，本实施例中采用的焊接方式为锡焊，而熔体4的材质为铜，本实施例中使用的灭弧材料7为聚酰胺。在本实施例中，中位通孔21在中间板2上呈行列分布，熔体4在中位通孔21内呈交替穿插。具体地，中间板2两端设置有端电极5，端电极5上设置有电极通孔51，从而使熔体4端头能够顺利进入上位凹槽12与下位凹槽32内。在本实施例中，熔体4一端位于上位凹槽12内，另一端位于下位凹槽32内。在本实施例中，熔体4端头与端电极5焊接。在本实施例中，还包括绝缘基板6；一绝缘基板6压合在上挡板1上，另一绝缘基板6压合在下挡板3上。实施例三如图1至图4以及图7所示，一种多层表面贴装熔断器，包括自上而下依次设置的上挡板1、中间板2以及下挡板3；上挡板1上设有上位通孔11与上位凹槽12，中间板2上设有中位通孔21以及穿插在中位通孔21内的熔体4，下挡板3上设有下位通孔31与下位凹槽32，下挡板3与上挡板1以中间板2中心位置处为原点呈中心对称设置。在本实施例中，首先将熔体4依次穿插在中间板2的中位通孔21内，穿插过程中，将熔体4一端端头放置于上挡板1的上位凹槽12内，另一端端头放置于下挡板3的下位凹槽32内，采用焊接的方式将熔体4的端头与中间板2的端电极5焊接，焊接后，将上挡板1、中间板2、下挡板3依次压合在一起，作为一层，再将此层与其他层进行重叠压合，上一层的下挡板3与下一层的上挡板1最终压合在一起，最后再将绝缘基板6分别压合在最上层的上挡板1与最下层的下挡板3上。具体地，本实施例中采用的焊接方式为锡焊，而熔体4的材质为铜。在本实施例中，中位通孔21在中间板2上呈行列分布，熔体4在中位通孔21内呈交替穿插。具体地，中间板2两端设置有端电极5，端电极5上设置有电极通孔51，从而使熔体4端头能够顺利进入上位凹槽12与下位凹槽32内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层表面贴装熔断器，其特征在于，包括自上而下依次设置的上挡板、中间板以及下挡板；所述上挡板上设有上位通孔与上位凹槽，所述中间板上设有中位通孔以及穿插在所述中位通孔内的熔体，所述下挡板上设有下位通孔与下位凹槽，所述下挡板与所述上挡板以所述中间板中心位置处为原点呈中心对称设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种多层表面贴装熔断器，其特征在于，包括自上而下依次设置的上挡板、中间板以及下挡板；所述上挡板上设有上位通孔与上位凹槽，所述中间板上设有中位通孔以及穿插在所述中位通孔内的熔体，所述下挡板上设有下位通孔与下位凹槽，所述下挡板与所述上挡板以所述中间板中心位置处为原点呈中心对称设置。


2.根据权利要求1所述的一种多层表面贴装熔断器，其特征在于，所述中位通孔在所述中间板上呈行列分布，所述熔体在所述中位通孔内呈交替穿插。


3.根据权利要求1所述的一种多层表...

【专利技术属性】
技术研发人员：田伟，廖兵，
申请(专利权)人：苏州达晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32