【技术实现步骤摘要】
一种多层表面贴装熔断器
本专利技术属于熔断器
,尤其涉及一种多层表面贴装熔断器。
技术介绍
随着电子产品的功率越来越大,导致工作电流和故障电流都较大,需要熔断器的额定电流越来越大。传统的熔断器往往采用的是单根直线型结构的熔体,这种熔体的横截面积较小,导致熔体的强度低,当熔断器的规格相同、熔体的材质一致时,这种单根直线型的熔体结构将会大大降低熔断器的整体可靠性。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术的不足,提供一种多层表面贴装熔断器,以解决现有技术中存在的问题。为达到上述目的,本专利技术采用的技术方案为:一种多层表面贴装熔断器,包括自上而下依次设置的上挡板、中间板以及下挡板;所述上挡板上设有上位通孔与上位凹槽,所述中间板上设有中位通孔以及穿插在所述中位通孔内的熔体,所述下挡板上设有下位通孔与下位凹槽,所述下挡板与所述上挡板以所述中间板中心位置处为原点呈中心对称设置。本专利技术一个较佳实施例中,所述中位通孔在所述中间板上呈行列分布,所述熔体在所述中位通孔内呈交替穿插。本 ...
【技术保护点】
1.一种多层表面贴装熔断器,其特征在于,包括自上而下依次设置的上挡板、中间板以及下挡板;所述上挡板上设有上位通孔与上位凹槽,所述中间板上设有中位通孔以及穿插在所述中位通孔内的熔体,所述下挡板上设有下位通孔与下位凹槽,所述下挡板与所述上挡板以所述中间板中心位置处为原点呈中心对称设置。/n
【技术特征摘要】
1.一种多层表面贴装熔断器,其特征在于,包括自上而下依次设置的上挡板、中间板以及下挡板;所述上挡板上设有上位通孔与上位凹槽,所述中间板上设有中位通孔以及穿插在所述中位通孔内的熔体,所述下挡板上设有下位通孔与下位凹槽,所述下挡板与所述上挡板以所述中间板中心位置处为原点呈中心对称设置。
2.根据权利要求1所述的一种多层表面贴装熔断器,其特征在于,所述中位通孔在所述中间板上呈行列分布,所述熔体在所述中位通孔内呈交替穿插。
3.根据权利要求1所述的一种多层表...
【专利技术属性】
技术研发人员:田伟,廖兵,
申请(专利权)人:苏州达晶半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。