显示面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:24332627 阅读:17 留言:0更新日期:2020-05-29 20:27
本发明专利技术公开了一种显示面板和显示装置。显示面板包括:阵列基板,包括多个像素电路;发光器件层,位于阵列基板上,包括多个发光器件,发光器件与像素电路电连接;触控电极层,集成于发光器件层中,包括多个触控电极;触控走线层,与阵列基板中的至少一层导电层位于同一层,且独立于像素电路设置。本发明专利技术实施例的技术方案,缓解了现有显示面板触控结构工艺复杂、生产成本高、增加显示面板的厚度,以及不利于显示面板的弯折性能的技术问题,为显示面板集成触控功能的同时,简化了生产工艺,降低了制造成本,提升了显示面板的弯折性能,有利于实现显示面板的轻薄化设计。

Display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示装置
本专利技术实施例涉及显示
,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
目前,显示面板的触控结构多设计在封装层之上,或是设计为外挂式结构。触控结构设置于封装层之上的方案中,触控结构的掩膜制程工艺复杂,生产成本较高。外挂式触控结构的显示面板膜组较厚,不仅增加了显示面板的厚度,而且会对显示面板的弯折性能造成不利影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板和显示装置,以实现为显示面板集成触控功能,简化显示面板的生产工艺,降低显示面板的制造成本。第一方面,本专利技术实施例提供了一种显示面板,包括:阵列基板,包括多个像素电路;发光器件层,位于所述阵列基板上,包括多个发光器件,所述发光器件与所述像素电路电连接;触控电极层,集成于所述发光器件层中,包括多个触控电极;触控走线层,与所述阵列基板中的至少一层导电层位于同一层,且独立于所述像素电路设置。进一步地,所述像素电路包括薄膜晶体管和连接电极,所述发光器件层包括层叠的第一电极层、发光层和第二电极层,所述第一电极层通过所述连接电极与所述薄膜晶体管的漏极或源极电连接,所述触控走线层与所述连接电极位于同一层;和/或,所述像素电路包括薄膜晶体管和降电阻线,所述降电阻线通过过孔与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极电连接,所述触控走线层与所述降电阻线位于同一层。进一步地,所述触控走线层包括层叠的钛层、铝层和钛层。进一步地,所述像素电路包括薄膜晶体管和电源线,所述电源线与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接,所述触控走线层与所述电源线位于同一层。进一步地,所述像素电路包括薄膜晶体管,所述触控走线层与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极位于同一层。进一步地,所述像素电路包括薄膜晶体管,所述发光器件层包括层叠的第一电极层、发光层和第二电极层,所述第一电极层与所述薄膜晶体管的漏极或源极电连接;所述第二电极层包括多个相互独立的第二电极,至少部分所述第二电极复用为所述触控电极。进一步地,所述显示面板还包括呈网格状的隔离结构,所述第二电极层包括多个第二电极,相邻所述第二电极通过所述隔离结构绝缘设置。。进一步地,所述显示面板还包括覆盖所述阵列基板的平坦化层,以及位于所述平坦化层远离所述阵列基板一侧的像素定义层;所述隔离结构位于所述像素定义层远离所述阵列基板的一侧;优选地,所述隔离结构的横截面呈T型或倒梯形,所述横截面平行于所述隔离结构的宽度方向和厚度方向限定出的平面;优选地,所述第二电极层为阴极层,所述隔离结构具有疏所述阴极层材料的性质,优选地,所述隔离结构的材料包括苯环有机物。进一步地,所述显示面板还包括覆盖所述阵列基板的平坦化层,以及位于所述平坦化层远离所述阵列基板一侧的像素定义层;所述像素电路包括薄膜晶体管和连接电极,所述发光器件层包括层叠的第一电极层、发光层和第二电极层,所述第一电极层通过所述连接电极与所述薄膜晶体管的漏极或源极电连接,所述隔离结构与所述连接电极位于同一层;和/或,所述像素电路包括薄膜晶体管和降电阻线,所述降电阻线通过过孔与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极电连接,所述隔离结构与所述降电阻线位于同一层;所述显示面板还包括贯穿所述像素定义层和所述平坦化层的凹槽,所述隔离结构位于所述凹槽的底部;优选地,所述隔离结构包括叠层的钛层、铝层和钛层,沿铝层的宽度方向,铝层的两端均短于两侧的钛层的两端。第二方面,本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括驱动电路和如第一方面所述的显示面板;所述驱动电路与所述多个像素电路以及所述触控走线层中的多条触控走线电连接。本专利技术实施例提供了一种显示面板和显示装置,显示面板包括阵列基板、发光器件层、触控电极层和触控走线层;阵列基板包括多个像素电路;发光器件层位于阵列基板上,包括多个发光器件,发光器件与像素电路电连接;触控电极层集成于发光器件层中,包括多个触控电极;触控走线层与阵列基板中的至少一层导电层位于同一层,且独立于像素电路设置。本专利技术实施例的技术方案,将触控电极层集成于发光器件层中,复用发光器件层的材质作为触控电极,实现了显示面板触控功能的集成;将触控走线层与像素电路中的至少一层导电层同层设置,能够在形成像素电路的同时来形成触控走线层,无需新增掩膜版来单独形成触控走线层。缓解了现有显示面板触控结构工艺复杂、生产成本高、增加显示面板的厚度,以及不利于显示面板的弯折性能的技术问题,为显示面板集成触控功能的同时,简化了生产工艺,降低了制造成本,提升了显示面板的弯折性能,有利于实现显示面板的轻薄化设计。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图;图2是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;图3是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;图4是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;图5是本专利技术实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图;图6是本专利技术实施例提供的一种显示面板的主视结构示意图;图7是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的主视结构示意图;图8是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;图9是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;图10是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;图11是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图;图12是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。正如前述
技术介绍
所述,现有显示面板的触控结构多为触控面板(TouchPanel,TP)设置在薄膜封装(Thin-FilmEncapsulation,TFE)结构之上,即TPonTFE,或是设计为外挂TP的形式。TPonTFE结构中,触控面板的感应层、绝缘层和驱动层的膜层结构较为复杂,触控面板的掩膜制程工艺繁琐,生产成本较高。外挂式的触控面板的膜层通常较厚,不仅增加了显示面板的厚度,而且会对显示面板的弯折性能造成不利影响。本专利技术实施例提供的显示面板包括阵列基板、发光器件层、触控电极层和触控走线层;阵列基板包括多个像素电路;发光器件层位于阵列基板上,包括多个发光器件,发光器件与像素电路电连接;触控电极层集成于发光器件层中,包括多个触控电极;触控走线层与像素电路中的至少一层导电层位于同一层,且独立于像素电路设置,触控走线层包括多条触控走线,每个触控电极与至少一条触控走线电连接。本专利技术实施例的技术方案,将触控电极层集成于发光器件层中,复用发光器件层的材质作为触控电极,实现了显示面板触控功能的集成;将触控走线层与像素电路中的至少一层导电层同层设置,能够在形成像素电路的同时来形成触控走线层,无需新增掩膜本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:/n阵列基板,包括多个像素电路;/n发光器件层,位于所述阵列基板上,包括多个发光器件,所述发光器件与所述像素电路电连接;/n触控电极层,集成于所述发光器件层中,包括多个触控电极;/n触控走线层,与所述阵列基板中的至少一层导电层位于同一层,且独立于所述像素电路设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,包括多个像素电路;
发光器件层,位于所述阵列基板上,包括多个发光器件,所述发光器件与所述像素电路电连接;
触控电极层,集成于所述发光器件层中,包括多个触控电极;
触控走线层,与所述阵列基板中的至少一层导电层位于同一层,且独立于所述像素电路设置。


2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电路包括薄膜晶体管和连接电极,所述发光器件层包括层叠的第一电极层、发光层和第二电极层,所述第一电极层通过所述连接电极与所述薄膜晶体管的漏极或源极电连接,所述触控走线层与所述连接电极位于同一层;
和/或,所述像素电路包括薄膜晶体管和降电阻线,所述降电阻线通过过孔与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极电连接,所述触控走线层与所述降电阻线位于同一层。


3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述触控走线层包括层叠的钛层、铝层和钛层。


4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电路包括薄膜晶体管和电源线,所述电源线与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接,所述触控走线层与所述电源线位于同一层。


5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电路包括薄膜晶体管,所述触控走线层与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极位于同一层。


6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电路包括薄膜晶体管,所述发光器件层包括层叠的第一电极层、发光层和第二电极层,所述第一电极层与所述薄膜晶体管的漏极或源极电连接;
所述第二电极层包括多个相互独立的第二电极,至少部分所述第二电极复用为所述触控电极。


7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜凌霄王明玺单奇
申请(专利权)人:合肥维信诺科技有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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