一种半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明专利技术实施例在电容结构的下方预先形成第一导电结构和与第一导电结构电连接的导电层。使得电流在流经电容结构的过程中不需要经过整个下极板再流出，而是经过下极板下方的第一导电结构和导电层再流出，第一导电结构和导电层的电阻率低于下极板，能够降低半导体器件的电阻，确保器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
由于金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容器具有低电阻率、低的寄生电容以及与现有集成电路工艺兼容性好等优点，其被广泛应用于集成电路的制作过程中。然而，MIM电容器的电阻太大，器件的电学性能和可靠性仍有待提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体器件及其形成方法，以解决MIM电容器电阻过大的问题，提高器件的性能和可靠性。本专利技术实施例提供的半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有依次叠置的导电层和第一介质层，所述第一介质层中形成有与所述导电层电连接的第一导电结构；在所述第一介质层上形成电容结构，所述电容结构包括依次叠置的下极板、第二介质层和上极板，所述下极板与所述第一导电结构连接；形成覆盖所述电容结构的第三介质层；在所述第三介质层中形成连接所述上极板的第二导电结构，以及在所述电容结构的一侧形成连接到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有依次叠置的导电层和第一介质层，所述第一介质层中形成有与所述导电层电连接的第一导电结构；/n在所述第一介质层上形成电容结构，所述电容结构包括依次叠置的下极板、第二介质层和上极板，所述下极板与所述第一导电结构连接；/n形成覆盖所述电容结构的第三介质层；/n在所述第三介质层中形成连接所述上极板的第二导电结构，以及在所述电容结构的一侧形成连接到所述导电层的第三导电结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有依次叠置的导电层和第一介质层，所述第一介质层中形成有与所述导电层电连接的第一导电结构；
在所述第一介质层上形成电容结构，所述电容结构包括依次叠置的下极板、第二介质层和上极板，所述下极板与所述第一导电结构连接；
形成覆盖所述电容结构的第三介质层；
在所述第三介质层中形成连接所述上极板的第二导电结构，以及在所述电容结构的一侧形成连接到所述导电层的第三导电结构。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成电容结构包括：
在所述第一介质层上依次形成叠置的下极板材料层，第二介质材料层和上极板材料层，
在上极板材料层上形成图案化光刻胶；
依次刻蚀光刻胶未覆盖部分的上极板材料层，第二介质材料层和下极板材料层；
去除光刻胶。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电容结构形成在第一导电结构上方。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上极板的材质包括氮化金属；
所述第二介质层的材质包括氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锰、氧化钴、氧化锌、氧化锆、氧化铌、氧化钼、氧化铪、氧化钽、氧化钨、钛酸锶、钛酸钯中的一种或多种；
所述下极板的材质包括氮化金属。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层的材质为铜或铝铜合金。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡连峰，胡友存，杨明，卑多慧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12