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本发明实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例在电容结构的下方预先形成第一导电结构和与第一导电结构电连接的导电层。使得电流在流经电容结构的过程中不需要经过整个下极板再流出，而是经过下极板下方的第一导电结构和导电层再流出，第一导电...该专利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。