一种MIM电容及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种MIM电容及其制作方法，所述制作方法包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成抗反射层；光刻并刻蚀所述第一金属层和所述抗反射层，以定义MIM电容区域，所述MIM电容区域中的所述第一金属层作为MIM电容的下极板，所述MIM电容区域中的所述抗反射层作为MIM电容的介质层；在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成MIM电容的上极板。本发明专利技术的制作方法在刻蚀后的刻开区域中保留下来的抗反射层同时作为电容的介质层，继续在刻开区域中填充金属作为上极板，不再需要制作额外的电容的介质层，也不再需要额外的光刻工艺来定义上极板区域，减少了光刻和刻蚀的次数，从而降低了工艺成本，缩短了工艺周期。

MIM capacitor and its fabrication

【技术实现步骤摘要】
一种MIM电容及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种MIM电容及其制作方法。
技术介绍
电容作为存储电荷、耦合以及滤波器件被广泛应用在半导体集成电路中。现有的集成电路电容中，金属-绝缘体-金属型(MIM，Metal-Isolation-Metal)电容逐渐成为射频集成电路中的主流，尤其在混频/射频CMOS制程上的应用已非常普遍。原因在于，其通常制作在金属互连层中，既与集成电路工艺相兼容，又与衬底间距离较远，可以克服许多其他类型的电容具有的寄生电容大、器件性能随频率增大而明显下降的缺点。MIM电容在集成电路中通常位于多层器件结构的上层，其结构更接近于典型意义的电容，即在金属电极板之间具有电介质的电容。如图1所示，半导体器件包括MIM电容区域和其他电路区域，其中，MIM电容结构包括下极板101、上极板103以及位于二者之间的介质层102，该结构能实现电荷存储功能。其中，介质层102通常采用高介电常数的氮化硅(SiN)薄膜形成。另外，MIM电容的下极板101和上极板103还分别通过在金属间介电层(IMD，InterMet本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MIM电容的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一金属层；/n在所述第一金属层上形成抗反射层；/n光刻并刻蚀所述第一金属层和所述抗反射层，以定义MIM电容区域，所述MIM电容区域中的所述第一金属层作为MIM电容的下极板，所述MIM电容区域中的所述抗反射层作为MIM电容的介质层；/n在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成MIM电容的上极板。/n

【技术特征摘要】
1.一种MIM电容的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一金属层；
在所述第一金属层上形成抗反射层；
光刻并刻蚀所述第一金属层和所述抗反射层，以定义MIM电容区域，所述MIM电容区域中的所述第一金属层作为MIM电容的下极板，所述MIM电容区域中的所述抗反射层作为MIM电容的介质层；
在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成MIM电容的上极板。


2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成所述MIM电容的上极板的步骤包括：
形成第一金属间介电层并光刻及刻蚀，在所述第一金属间介电层中形成上极板开口，所述上极板开口暴露部分所述抗反射层；
在所述上极板开口中填充金属以形成所述MIM电容的上极板。


3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属间介电层中形成上极板开口，所述上极板开口暴露部分所述抗反射层；在所述上极板开口中填充金属以形成所述MIM电容的上极板的步骤，还包括：
在MIM电容区域中且在形成所述上极板开口的区域之外，光刻并刻蚀所述第一金属间介电层和所述抗反射层，形成依次贯穿所述第一金属间介电层和所述抗反射层的至少一个第一接触孔开口，所述第一接触孔开口暴露部分所述第一金属层；
在所述第一接触孔开口中填充金属以形成第一接触孔。


4.如权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成MIM电容的上极板...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宏峰，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32