扇出型半导体封装件制造技术

本公开提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括彼此电连接的多个布线层，并且具有凹入部，所述凹入部的底表面上设置有阻挡层；半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，所述无效表面设置在所述凹入部中以面对所述阻挡层；包封剂，覆盖所述框架的至少一部分以及所述半导体芯片的至少一部分，所述包封剂设置在所述凹入部的至少一部分中；以及连接结构，设置在所述框架和所述有效表面上，并且包括重新分布层，所述重新分布层电连接到所述多个布线层和所述连接垫。所述阻挡层的厚度大于所述多个布线层中的每者的厚度。

Fan out semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
扇出型半导体封装件本申请要求于2018年11月20日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0143304号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件，并且更具体地，涉及一种电连接金属件可延伸到除了设置有半导体芯片的区域的之外的区域的扇出型半导体封装件。
技术介绍
与半导体芯片相关的技术开发的主要趋势是减小组件的尺寸。因此，在封装件领域中，响应于对于小型化的半导体芯片等的需求的激增，需要实现在小型化的同时具有大量引脚。被提出满足这种要求的半导体封装件技术是扇出型半导体封装件。在扇出型半导体封装件的情况下，电连接金属件可被重新分布到设置有半导体芯片的区域之外，从而在实现小型化的同时实现大量的引脚。另一方面，由于封装件产品中的I/O端子的数量的增加和层叠封装(POP)的应用，对在背侧以及前侧上具有重新分布层的扇出型半导体封装件的需求持续增加。就此而言，已使用了现有的在完成前侧重新分布层形成工艺之后顺序地添加背侧上的重新分布层的方法。然而，在这种情况下，存在诸如缺陷增加、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出型半导体封装件，包括：/n框架，包括彼此电连接的多个布线层，并且具有凹入部，所述凹入部的底表面上设置有阻挡层；/n半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，所述无效表面设置在所述凹入部中以面对所述阻挡层；/n包封剂，覆盖所述框架的至少一部分以及所述半导体芯片的至少一部分，所述包封剂设置在所述凹入部的至少一部分中；以及/n连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括重新分布层，所述重新分布层电连接到所述多个布线层和所述连接垫，/n其中，所述阻挡层的厚度大于所述多个布线层中的每者的厚度。/n

【技术特征摘要】
20181120 KR 10-2018-01433041.一种扇出型半导体封装件，包括：
框架，包括彼此电连接的多个布线层，并且具有凹入部，所述凹入部的底表面上设置有阻挡层；
半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，所述无效表面设置在所述凹入部中以面对所述阻挡层；
包封剂，覆盖所述框架的至少一部分以及所述半导体芯片的至少一部分，所述包封剂设置在所述凹入部的至少一部分中；以及
连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括重新分布层，所述重新分布层电连接到所述多个布线层和所述连接垫，
其中，所述阻挡层的厚度大于所述多个布线层中的每者的厚度。


2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述阻挡层是包括金属材料的金属层。


3.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述阻挡层包括彼此区分开的多个金属层，
其中，所述多个金属层中的一个金属层设置在与所述多个布线层中的一个布线层的高度相同的高度上。


4.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多个布线层中的至少一个布线层包括接地图案，并且
所述金属层电连接到所述接地图案。


5.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述框架包括：第一绝缘层；第一布线层，设置在所述第一绝缘层的下表面上；第二布线层，设置在所述第一绝缘层的上表面上；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层的下表面上，以覆盖所述第一布线层；第三绝缘层，设置在所述第一绝缘层的上表面上，以覆盖所述第二布线层；第三布线层，设置在所述第二绝缘层的下表面上；以及第四布线层，设置在所述第三绝缘层的上表面上，并且
所述多个布线层包括所述第一布线层至所述第四布线层。


6.根据权利要求5所述的扇出型半导体封装件，其中，所述阻挡层的第一区域设置在所述第一绝缘层的下表面上，以被所述第二绝缘层覆盖，并且
所述阻挡层的第二区域以这样的方式设置在所述第二绝缘层的上表面上：所述阻挡层的所述第二区域的边缘被所述第一绝缘层覆盖。


7.根据权利要求6所述的扇出型半导体封装件，其中，所述阻挡层的所述第二区域的被所述第一绝缘层覆盖的所述边缘与所述阻挡层的所述第二区域的暴露于所述凹入部的部分具有台阶。


8.根据权利要求5所述的扇出型半导体封装件，其中，相对于所述半导体芯片的所述无效表面，所述第三布线层设置在比所述阻挡层的高度低的高度上。


9.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括：
第一连接构件，将所述连接垫电连接到所述重新分布层；以及
第二连接构件，将所述多个布线层电连接到所述重新分布层，
其中，所述包封剂覆盖所述第一连接构件和所述第二连接构件中的每者的侧表面。


10.根据权利要求9所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一连接构件和所述第二连接构件中的每者的与所述连接结构接触的表面和所述包封剂的与所述连接结构接触的表面共面。

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【专利技术属性】
技术研发人员：李韩亐，高永宽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR