一种半导体结构的制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的制备方法，包括步骤：提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽，所述接触沟槽的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽的侧壁及底部沉积侧墙材料；刻蚀所述侧墙材料，以在所述接触沟槽的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽底部显露的所述接触表面残留有所述侧墙材料；采用干法刻蚀去除所述接触表面残留的所述侧墙材料，所述干法刻蚀气体包括氧气、四氟化碳和氮气；于所述接触沟槽内填充导电材料层。本发明专利技术的一种半导体结构的制备方法能增加干法刻蚀过程中等离子体的浓度，抑制氧原子的再结合，提高接触沟槽底部均匀性，防止过刻蚀，提高干法刻蚀效率，提升半导体结构的良率，提升半导体结构的电性性能。

A preparation method of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法
本专利技术属于半导体芯片制造领域，特别是涉及一种半导体结构的制备方法。
技术介绍
随着半导体芯片制造技术的飞速发展，半导体结构为了达到更大的信息存储量，半导体芯片向更高集成度方向发展，即半导体器件的特征尺寸(CD，CriticalDimension)越小，而半导体芯片的集成度越高。现有的在去除接触沟槽底部的侧墙材料后，会在接触沟槽底部残留掩膜材料，接触沟槽底部受损会形成的多晶体，所述多晶体表面会产生自然氧化层。基于以上所述，本专利技术的目的是给出一种半导体结构的制备方法，以增加干法刻蚀过程中等离子体的浓度，抑制氧原子的再结合，提高接触沟槽底部均匀性，防止过刻蚀，提高干法刻蚀效率，可以有效的去除残留掩膜材料、多晶体、自然氧化物，提升半导体结构的良率，提升半导体结构的电性性能。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制备方法，用于增加干法刻蚀过程中等离子体的浓度，抑制氧原子的再结合，提高接触沟槽底部均匀性，防止过刻蚀，提高干法刻蚀效率，提升半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽，所述接触沟槽的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽的侧壁及底部沉积侧墙材料；/n刻蚀所述侧墙材料，以在所述接触沟槽的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽底部显露的所述接触表面残留有所述侧墙材料；/n采用干法刻蚀去除所述接触表面残留的所述侧墙材料，其中，所述干法刻蚀气体包括氧气、四氟化碳和氮气；/n于所述接触沟槽内填充导电材料层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽，所述接触沟槽的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽的侧壁及底部沉积侧墙材料；
刻蚀所述侧墙材料，以在所述接触沟槽的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽底部显露的所述接触表面残留有所述侧墙材料；
采用干法刻蚀去除所述接触表面残留的所述侧墙材料，其中，所述干法刻蚀气体包括氧气、四氟化碳和氮气；
于所述接触沟槽内填充导电材料层。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀同时去除所述接触表面产生的自然氧化层以及所述接触表面受损而形成的多晶体。


3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀气体中所述氧气与所述四氟化碳的体积比介于80:1～120:1之间。


4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述四氟化碳的气体流量介于30～50SCCM之间。


5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述氮气...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34