一种半导体结构的制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的制备方法，包括步骤：提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽，所述接触沟槽的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽的侧壁及底部沉积侧墙材料；刻蚀所述侧墙材料，以在所述接触沟槽的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽底部显露的所述接触表面残留有所述侧墙材料；采用干法刻蚀去除所述接触表面残留的所述侧墙材料，所述干法刻蚀气体包括氧气、四氟化碳和氮气；于所述接触沟槽内填充导电材料层。本发明专利技术的一种半导体结构的制备方法能增加干法刻蚀过程中等离子体的浓度，抑制氧原子的再结合，提高接触沟槽底部均匀性，防止过刻蚀，提高干法刻蚀效率，提升半导体结构的良率，提升半导体结构的电性性能。

A preparation method of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法
本专利技术属于半导体芯片制造领域，特别是涉及一种半导体结构的制备方法。
技术介绍
随着半导体芯片制造技术的飞速发展，半导体结构为了达到更大的信息存储量，半导体芯片向更高集成度方向发展，即半导体器件的特征尺寸(CD，CriticalDimension)越小，而半导体芯片的集成度越高。现有的在去除接触沟槽底部的侧墙材料后，会在接触沟槽底部残留掩膜材料，接触沟槽底部受损会形成的多晶体，所述多晶体表面会产生自然氧化层。基于以上所述，本专利技术的目的是给出一种半导体结构的制备方法，以增加干法刻蚀过程中等离子体的浓度，抑制氧原子的再结合，提高接触沟槽底部均匀性，防止过刻蚀，提高干法刻蚀效率，可以有效的去除残留掩膜材料、多晶体、自然氧化物，提升半导体结构的良率，提升半导体结构的电性性能。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制备方法，用于增加干法刻蚀过程中等离子体的浓度，抑制氧原子的再结合，提高接触沟槽底部均匀性，防止过刻蚀，提高干法刻蚀效率，提升半导体结构的良率，提升半导体结构的电性性能。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体结构的制备方法，包括步骤：提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽，所述接触沟槽的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽的侧壁及底部沉积侧墙材料；刻蚀所述侧墙材料，以在所述接触沟槽的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽底部显露的所述接触表面残留有所述侧墙材料；采用干法刻蚀去除所述接触表面残留的所述侧墙材料所述干法刻蚀气体包括氧气、四氟化碳和氮气；于所述接触沟槽内填充导电材料层。可选地，所述干法刻蚀同时去除所述接触表面产生的自然氧化层以及所述接触表面受损而形成的多晶体。可选地，所述干法刻蚀气体中所述氧气与所述四氟化碳的体积比介于80:1～120:1之间。可选地，所述四氟化碳的气体流量介于30～50SCCM之间。可选地，所述氮气的气体体积占所述氧气和所述四氟化碳的气体体积之和的比例介于8％～12％之间。可选地，所述干法刻蚀过程中所述器件结构与等离子源的垂直距离介于40～60cm之间。可选地，所述侧墙材料的种类包括氮化物。可选地，所述干法刻蚀过程中温度介于80～100℃之间。可选地，所述干法刻蚀过程中压强介于600～800Pa之间。可选地，所述干法刻蚀过程中射频功率介于3000～4000W之间。可选地，所述干法刻蚀开始前还包括稳定温度、压力、能量、氧气的气体流量的步骤，所述稳定的时间介于10～20S之间。可选地，所述干法刻蚀后通入氮气将残余气体抽出，所述氮气的气体流量介于8000～10000SCCM之间。如上所述，本专利技术提供一种半导体结构的制备方法，本专利技术具有以下功效：本专利技术的一种半导体结构的制备方法能增加干法刻蚀过程中等离子体的浓度，抑制氧原子的再结合，提高接触沟槽底部均匀性，防止过刻蚀，提高干法刻蚀效率，提升半导体结构的良率，提升半导体结构的电性性能。附图说明图1显示为本专利技术的一种半导体结构的制备方法步骤1)所呈现的结构示意图。图2显示为本专利技术的一种半导体结构的制备方法步骤2)所呈现的结构示意图。图3显示为本专利技术的一种半导体结构的制备方法步骤3)所呈现的结构示意图。图4显示为本专利技术的一种半导体结构的制备方法步骤4)所呈现的结构示意图。图5显示为本专利技术的一种半导体结构的制备方法的流程图。元件标号说明101接触沟槽结构102介质叠层结构103侧墙材料104多晶体105自然氧化层106残留的侧墙材料107填充导电材料层108浅沟槽隔离结构109字线晶体管110有源区接触S01～S04步骤具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例1如图1～图5所示，本实施例提供一种半导体结构的制备方法，包括步骤：如图1所示，进行步骤1)S01，提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽101，所述接触沟槽101的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽101的侧壁及底部沉积侧墙材料103。在本实施例中，所述器件结构包括：衬底，例如所述衬底可以为硅衬底等。所述衬底上设置有浅沟槽隔离结构108和字线晶体管109，有源区接触110设置于所述字线晶体管109的上方，介质叠层结构设置于所述有源区接触110的上方。如图2所示，进行步骤2)S02，刻蚀所述侧墙材料103，以在所述接触沟槽101的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽101底部显露的所述接触表面残留有所述侧墙材料103。作为示例，所述侧墙材料103的种类包括但不限于氮化物，例如，所述侧墙材料103的种类可以为氮化硅等。所述干法刻蚀会使接触沟槽101底部受损形成1～2nm的多晶体层104，会在接触沟槽101底部残留掩膜材料106，所述多晶体104表面会产生约1nm的自然氧化层105。例如，所述多晶体104为多晶硅。如图3所示，进行步骤3)S03，采用干法刻蚀去除所述接触沟槽101底部残留的侧墙材料106、所述接触沟槽101底部产生的自然氧化层105、所述接触沟槽101底部受损形成的多晶体104，所述干法刻蚀气体包括氧气、四氟化碳和氮气。作为示例，所述干法刻蚀气体中所述氧气与所述四氟化碳的体积比介于80:1～120:1之间。在本实施例中，所述干法刻蚀气体中所述氧气与所述四氟化碳的体积比为100:1。作为示例，所述四氟化碳的气体流量介于30～50SCCM之间。在本实施例中，所述四氟化碳的气体流量为40SCCM。在本实施例中，所述氮气的气体体积占所述氧气和所述四氟化碳的气体体积之和的比例为0。作为示例，所述干法刻蚀过程中所述器件结构与等离子源的垂直距离介于40～60cm之间。在本实施例中，所述干法刻蚀过程中所述器件结构与等离子源的垂直距离为50cm。作为示例，所述干法刻蚀过程中温度介于80～100℃之间，例如，所述干法刻蚀过程中温度可以为80℃、90℃、100℃。所述干法刻蚀过程中压强介于600～800Pa之间，例如，所述干法刻蚀过程中压强可以为600Pa、700Pa、800Pa。所述干法刻蚀过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽，所述接触沟槽的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽的侧壁及底部沉积侧墙材料；/n刻蚀所述侧墙材料，以在所述接触沟槽的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽底部显露的所述接触表面残留有所述侧墙材料；/n采用干法刻蚀去除所述接触表面残留的所述侧墙材料，其中，所述干法刻蚀气体包括氧气、四氟化碳和氮气；/n于所述接触沟槽内填充导电材料层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽，所述接触沟槽的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽的侧壁及底部沉积侧墙材料；
刻蚀所述侧墙材料，以在所述接触沟槽的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽底部显露的所述接触表面残留有所述侧墙材料；
采用干法刻蚀去除所述接触表面残留的所述侧墙材料，其中，所述干法刻蚀气体包括氧气、四氟化碳和氮气；
于所述接触沟槽内填充导电材料层。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀同时去除所述接触表面产生的自然氧化层以及所述接触表面受损而形成的多晶体。


3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀气体中所述氧气与所述四氟化碳的体积比介于80:1～120:1之间。


4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述四氟化碳的气体流量介于30～50SCCM之间。


5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述氮气...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34