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本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括步骤：提供器件结构，所述器件结构形成有接触沟槽，所述接触沟槽的底部显露所述器件结构的接触表面，于所述接触沟槽的侧壁及底部沉积侧墙材料；刻蚀所述侧墙材料，以在所述接触沟槽的侧壁形成侧墙结构，所述接触沟槽...
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