一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件制造技术

本实用新型专利技术提出一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件，包括N－基片，其上表面开有若干个垂直沟槽，沟槽外围表面下方形成N+注入层，沟槽内填有绝缘介质层，且绝缘介质层内开有第一空腔和第二空腔，第一空腔、第二空腔内均填满导电多晶硅，沟槽及其外围表面上方覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上覆盖金属层，金属层向下延伸至引线孔内，N+注入层下方、引线孔与沟槽之间形成相邻的P+注入层和P－注入层。本实用新型专利技术在续流时少子扩散大大减小，正向压降降低，反向恢复损耗小，快关速度及反向恢复软度提高，可靠性增加。

A kind of shielded gate semiconductor power device with built-in Schottky structure

【技术实现步骤摘要】
一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件
本技术涉及一种半导体功率器件，尤其是一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件。
技术介绍
超低功耗半导体功率器件固有一个与其并联的寄生PN结二极管，寄生二极管的阳极与功率器件的体区以及源极相连，阴极与功率器件的漏极相连，因此功率器件常常被用来续流或者钳制电压，在续流或者钳制电压时，寄生二极管正向导通，其正向压降一般为0.8V左右，MOS器件工作在二极管续流模式时，其正向压降较高，功耗较大。且这种寄生二极管与普通二极管一样，由少子参与导电，因此续流模式结束后，MOS器件存在寄生二极管反向恢复的过程，PN结二极管反向恢复时间较长，从而降低了开关速度、增加功耗，且恢复曲线较硬，影响其可靠性。
技术实现思路
本技术所解决的技术问题在于提供一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件，内置肖特基二极管结构，并联的肖特基二极管由电子导电，在续流时少子扩散大大减小，正向压降降低，反向恢复损耗小，快关速度及反向恢复软度提高，可靠性增加。实现本技术目的的技术解决方案为：>一种内置肖特基结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件，其特征在于，包括N－基片(1)，定义N－基片(1)的上表面为第一表面(2)，第一表面(2)上开有若干个垂直方向上的沟槽(3)，沟槽(3)外围的第一表面下方形成N+注入层(10)；/n沟槽(3)内填有绝缘介质层(4)，且绝缘介质层(4)内开有第一空腔(5)和第二空腔(6)，所述第一空腔(5)位于沟槽(3)内中央，两个第二空腔(6)分别位于第一空腔(5)的左右两侧并通过绝缘介质层(4)相隔离，第一空腔(5)、第二空腔(6)内均填满导电多晶硅(7)；/n沟槽(3)及其外围的第一表面上方覆盖有绝缘介质层(4)，绝缘介质层(4)上覆盖有金属层(8)，金属层...

【技术特征摘要】
1.一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件，其特征在于，包括N－基片(1)，定义N－基片(1)的上表面为第一表面(2)，第一表面(2)上开有若干个垂直方向上的沟槽(3)，沟槽(3)外围的第一表面下方形成N+注入层(10)；
沟槽(3)内填有绝缘介质层(4)，且绝缘介质层(4)内开有第一空腔(5)和第二空腔(6)，所述第一空腔(5)位于沟槽(3)内中央，两个第二空腔(6)分别位于第一空腔(5)的左右两侧并通过绝缘介质层(4)相隔离，第一空腔(5)、第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁磊，侯宏伟，顾挺，
申请(专利权)人：张家港凯思半导体有限公司，江苏协昌电子科技股份有限公司，张家港凯诚软件科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32