【技术实现步骤摘要】
绝缘栅场效应管
本技术涉及半导体器件
，特别涉及一种绝缘栅场效应管。
技术介绍
碳化硅器件中，最早市场化的是碳化硅肖特基二极管器件，其因器件结构简单，生产工艺最早成熟。对于硅材料的肖特基器件，不论采用什么势垒金属，器件的高温漏电都比较大，在150℃下，漏电通常要在100μA以上，有的甚至达到mA级；但对于宽禁带半导体材料碳化硅肖特基二极管，就有很大不同，即使温度达到175℃，漏电水平与室温相当，基本没有增加，漏电水平在nA级，碳化硅肖特基结的漏电达到了硅材料PiN二极管的漏电水平。碳化硅场效应管器件目前存在两个主要技术问题:由于沟道电子迀移率低，引起场效应管的沟道电阻大的问题，以及在高温、高电场下栅氧可靠性低的问题。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是，提供一种沟道电阻小及可靠性高的绝缘栅场效应管。本技术提供一种绝缘栅场效应管，包括高浓度参杂层、N区、栅极区和源电极；所述高浓度参杂层上依次设置有所述N区、所述栅极区和所述源电极；所述源电极与所述N区之间形成肖特基结；所述N区设置有第一插槽和第二...
【技术保护点】
1.一种绝缘栅场效应管，其特征在于，包括高浓度参杂层、N区、栅极区和源电极；所述高浓度参杂层上依次设置有所述N区、所述栅极区和所述源电极；所述源电极与所述N区之间形成肖特基结；所述N区设置有第一插槽和第二插槽，且所述第二插槽深度大于所述第一插槽深度至少1μm，且第二插槽宽度大于所述第一插槽宽度，所述第一插槽为栅沟槽，所述第二插槽为肖特基源区的沟槽。/n
【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅场效应管，其特征在于，包括高浓度参杂层、N区、栅极区和源电极；所述高浓度参杂层上依次设置有所述N区、所述栅极区和所述源电极；所述源电极与所述N区之间形成肖特基结；所述N区设置有第一插槽和第二插槽，且所述第二插槽深度大于所述第一插槽深度至少1μm，且第二插槽宽度大于所述第一插槽宽度，所述第一插槽为栅沟槽，所述第二插槽为肖特基源区的沟槽。
2.如权利要求1所述的绝缘栅场效应管，其特征在于，所述第一插槽设置在所述N区上方的中部位置；所述第二插槽设置在所述N区上方的两端位置。
3.如权利要求1或2所述的绝缘栅场效应管，其特征在于，所述源电极上设置有凸部和第三插槽；所述第三插槽与所述第一插槽配合形成放置所述栅极区的空间；所述凸部与所述第二插槽配合。
4.如权利要求3所述的绝缘栅场效应管，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘道国，
申请(专利权)人：深圳市精芯智能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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