低功耗场效应管制造技术

本实用新型专利技术公开一种低功耗场效应管，包括漏极金属层、耐压漂移层、P型阱区、N+源区、绝缘层、碳化硅隔板、第一碳化硅栅极、第二碳化硅栅极及源区金属，所述耐压漂移层位于所述漏极金属层上方，所述P型阱区位于耐压漂移层上表面的端部，所述N+源区位于所述P型阱区的上方的中部位置；所述绝缘层包覆所述碳化硅隔板、所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极，并位于所述耐压漂移层的上方；所述源区金属覆盖在所述绝缘层上，所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极均与所述碳化硅隔板间隔设置，所述碳化硅隔板至少部分位于所述第一碳化硅栅极与所述第二碳化硅栅极之间，所述碳化硅隔板与所述源区金属电连接。本实用新型专利技术具有体积小，功耗低的优点。

【技术实现步骤摘要】
低功耗场效应管
本技术涉及半导体
，特别涉及一种低功耗场效应管。
技术介绍
现有的场效应管通常使用碳化硅，碳化硅是继第一代半导体材料硅、锗和第二带半导体材料砷化镓、磷化铟后发展起来的第三代半导体材料，碳化硅材料的宽禁带是硅和砷化镓的2～3倍，使得半导体器件能在较高的温度下工作且具有发射蓝光的能力；其击穿电场比硅和砷化镓都要高出一个数量级，这决定了半导体器件的高压、大功率性能；其高的饱和电子漂移速度和低介电常数决定了器件的高频、高速工作性能；碳化硅的导热率是硅的3.3倍，砷化镓的10倍，使得碳化硅材料的导热性能好，在集成电路工艺上可以大大提高电路的集成度，同时还可以减少冷却散热系统，从而减小器件的体积。碳化硅半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、饱和电子漂移率高、热导率高、化学性质稳定等优点，这使得碳化硅基功率器件在高压、高温、高频、大功率、强辐射等方面都有极大的应用前景。在半导体工艺领域上，是制备耐高压、大电流功率器件的理想选择。另外，由于碳化硅所具有的优良的物理和电学特性，再结合具体工艺上的设计特点，常见的碳化硅场效应管具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功耗场效应管，其特征在于，包括漏极金属层、耐压漂移层、P型阱区、N+源区、绝缘层、碳化硅隔板、第一碳化硅栅极、第二碳化硅栅极及源区金属，所述耐压漂移层位于所述漏极金属层上方，所述P型阱区位于耐压漂移层上表面的端部，所述N+源区位于所述P型阱区的上方的中部位置；所述绝缘层包覆所述碳化硅隔板、所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极，并位于所述耐压漂移层的上方；所述源区金属覆盖在所述绝缘层上，所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极均与所述碳化硅隔板间隔设置，所述碳化硅隔板至少部分位于所述第一碳化硅栅极与所述第二碳化硅栅极之间，所述碳化硅隔板与所述源区金属电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种低功耗场效应管，其特征在于，包括漏极金属层、耐压漂移层、P型阱区、N+源区、绝缘层、碳化硅隔板、第一碳化硅栅极、第二碳化硅栅极及源区金属，所述耐压漂移层位于所述漏极金属层上方，所述P型阱区位于耐压漂移层上表面的端部，所述N+源区位于所述P型阱区的上方的中部位置；所述绝缘层包覆所述碳化硅隔板、所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极，并位于所述耐压漂移层的上方；所述源区金属覆盖在所述绝缘层上，所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极均与所述碳化硅隔板间隔设置，所述碳化硅隔板至少部分位于所述第一碳化硅栅极与所述第二碳化硅栅极之间，所述碳化硅隔板与所述源区金属电连接。


2.如权利要求1所述的低功耗场效应管，其特征在于，所述碳化硅隔板与所述第一碳化硅栅极的距离大于0.1微米而小于0.2微米。


3.如权利要求2所述的低功耗场效应管，其特征在于，所述碳化硅隔板与所述第一碳化硅栅极的距离为0.15微米...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘道国，
申请(专利权)人：深圳市精芯智能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44