IGBT芯片及制造IGBT芯片时使用的掩膜版制造技术

本实用新型专利技术涉及一种IGBT芯片及制造IGBT芯片时使用的掩膜版。IGBT芯片包括元胞，元胞包括集电区、漂移区、阱基区、发射区、集电极结构和发射极结构。阱基区和发射区二者的组合呈现为正六棱柱形，发射区包括三个皆为正三角形的子发射区，三个子发射区在阱基区的中心线上相交并在阱基区内以该中心线为中心排列成等距圆形阵列，每个子发射区自阱基区的上表面朝向其下表面延伸。该IGBT芯片可以在保持其六边形元胞的电流密度相对较大、导通压降相对较小的情况下，提高其元胞的抗闩锁能力和抗短路能力。

【技术实现步骤摘要】
IGBT芯片及制造IGBT芯片时使用的掩膜版
本技术属于半导体
，具体涉及一种IGBT芯片及制造IGBT芯片时使用的掩膜版。
技术介绍
IGBT芯片又称为绝缘栅双极型晶体管芯片，属于IGBT器件的核心组成，是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT芯片主要由阵列布置的多个元胞、围绕在多个元胞外的终端结构组成，其中元胞常采用条形、方形、六边形。对于相等尺寸的IGBT芯片而言，六边形元胞的导通压降最小，条形元胞导通压降最大；六边形元胞电流密度最大，条形元胞电流密度最小；六边形元胞抗闩锁、抗短路能力最差，条形元胞抗闩锁、抗短路能力最好。但目前面临的最大问题就是如何在保持六边形元胞的电流密度相对较大、导通压降相对较小的情况下，提高IGBT芯片的元胞的抗闩锁能力和抗短路能力。
技术实现思路
为了解决上述全部或部分问题，本技术目的在于提供一种IGBT芯片、制造IGBT芯片时使用的掩膜版，该IGBT芯片可以在保持其六边形元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT芯片，其特征在于，所述IGBT芯片包括阵列布置的多个元胞，所述元胞包括顺序排布并共同构成PNPN型半导体结构的集电区、漂移区、阱基区和发射区，以及与所述集电区连接的集电极结构和与所述阱基区和发射区连接的发射极结构，其中，所述阱基区和发射区二者的组合呈现为正六棱柱形，所述发射区包括三个皆为正三角形的子发射区，三个所述子发射区在所述阱基区的中心线上相交，并在所述阱基区内以该中心线为中心排列成等距圆形阵列，每个所述子发射区自所述阱基区的上表面朝向其下表面延伸。/n

【技术特征摘要】
1.一种IGBT芯片，其特征在于，所述IGBT芯片包括阵列布置的多个元胞，所述元胞包括顺序排布并共同构成PNPN型半导体结构的集电区、漂移区、阱基区和发射区，以及与所述集电区连接的集电极结构和与所述阱基区和发射区连接的发射极结构，其中，所述阱基区和发射区二者的组合呈现为正六棱柱形，所述发射区包括三个皆为正三角形的子发射区，三个所述子发射区在所述阱基区的中心线上相交，并在所述阱基区内以该中心线为中心排列成等距圆形阵列，每个所述子发射区自所述阱基区的上表面朝向其下表面延伸。


2.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于，还包括设在所述集电区和漂移区之间的缓冲区。


3.根据权利要求2所述的IGBT芯片，其特征在于，还包括：
设在所述缓冲区内且与所述阱基区和发射区相接的沟槽；
设在所述发射区和发射极结构之间的硅氧化层；
附接在所述沟槽的槽壁和槽底上的栅氧化层；
设在所述沟槽内且被所述栅氧化层和硅氧化层共同包裹的栅极结构。


4.根据权利要求3所述的IGBT芯片，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛孝昊，史波，曾丹，陈茂麟，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，珠海零边界集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44