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本实用新型公开一种低功耗场效应管，包括漏极金属层、耐压漂移层、P型阱区、N+源区、绝缘层、碳化硅隔板、第一碳化硅栅极、第二碳化硅栅极及源区金属，所述耐压漂移层位于所述漏极金属层上方，所述P型阱区位于耐压漂移层上表面的端部，所述N+源区位于所...
该专利属于深圳市精芯智能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市精芯智能半导体有限公司授权不得商用。

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