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本实用新型公开一种绝缘栅场效应管，包括高浓度参杂层、N区、栅极区和源电极；所述高浓度参杂层上依次设置有所述N区、所述栅极区和所述源电极；所述源电极与所述N区之间形成肖特基结；所述N区设置有第一插槽和第二插槽，且所述第二插槽深度大于所述第一插...
该专利属于深圳市精芯智能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市精芯智能半导体有限公司授权不得商用。

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