【技术实现步骤摘要】
晶体管结构及其制造方法
本专利技术是有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别是有关于一种晶体管结构及其制造方法。
技术介绍
在集成电路器件中，不同的电路需要具有不同基础操作特性的不同电路器件密切配合。其中，高压晶体管器件，顾名思义就是一种可以耐较高偏压的晶体管器件，意即高压晶体管器件的击穿电压(breakdownvoltage)会较一般晶体管器件高。然而，如何进一步地提高高压晶体管器件的击穿电压为目前面临的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶体管结构，其可具有较高的击穿电压。本专利技术提供一种晶体管结构的制造方法，其可具有成本效益。本专利技术提出一种晶体管结构，包括基底、外延层、井区、高压井区、源极区、漏极区、栅极结构与第一埋入层。外延层具有第一导电型，且设置在基底上。井区具有第二导电型，且位于外延层中。高压井区具有第一导电型，且位于井区的一侧的外延层中，其中高压井区与井区彼此分离。源极区具有第一导电型，且位于井区中。漏极区具有第一导电型，且位于高压井区中。栅极结构设置在源极...
【技术保护点】
1.一种晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：/n基底；/n外延层，具有第一导电型，且设置在所述基底上；/n井区，具有第二导电型，且位于所述外延层中；/n高压井区，具有所述第一导电型，且位于所述井区的一侧的所述外延层中，其中所述高压井区与所述井区彼此分离；/n源极区，具有所述第一导电型，且位于所述井区中；/n漏极区，具有所述第一导电型，且位于所述高压井区中；/n栅极结构，设置在所述源极区与所述漏极区之间的所述外延层上；以及/n第一埋入层，具有所述第二导电型，且位于所述高压井区下方的所述基底中，其中所述第一埋入层的至少一部分的厚度在所述第一埋入层远离所述井区的方向上逐渐缩小。/n
【技术特征摘要】
20181112 TW 1071401081.一种晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：
基底；
外延层，具有第一导电型，且设置在所述基底上；
井区，具有第二导电型，且位于所述外延层中；
高压井区，具有所述第一导电型，且位于所述井区的一侧的所述外延层中，其中所述高压井区与所述井区彼此分离；
源极区，具有所述第一导电型，且位于所述井区中；
漏极区，具有所述第一导电型，且位于所述高压井区中；
栅极结构，设置在所述源极区与所述漏极区之间的所述外延层上；以及
第一埋入层，具有所述第二导电型，且位于所述高压井区下方的所述基底中，其中所述第一埋入层的至少一部分的厚度在所述第一埋入层远离所述井区的方向上逐渐缩小。
2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一埋入层更延伸至所述外延层中。
3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述高压井区的至少一部分的涵盖范围在所述高压井区远离所述井区的方向上逐渐增大。
4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，还包括第二埋入层，其中所述第二埋入层具有所述第一导电型，且位于所述井区下方的所述基底中。
5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，所述第二埋入层的至少一部分的厚度在所述第二埋入层远离所述第一埋入层的方向上逐渐增大。
6.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，其中所述第二埋入层更延伸至所述外延层中。
7.一种晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在基底上形成具有第一导电型的外延层；
在所述外延层中形成具有第二导电型的井区；
在所述井区的一侧的所述外延层中形成具有所述第一导电型的高压井区，其中所述高压井区与所述井区彼此分离；
在所述井区中形成具有所述第一导电型的源极区；
在所述高压井区中形成具有所述第一导电型的漏极区；
在所述源极区与所述漏极区之间的所述外延层上形成栅极结构；以及
在所述高压井区下方的所述基底中形成具有所述第二导电型的第一埋入层，其中所述第一埋入层的至少一部分的厚度在所述第一埋入层远离所述井区的方向上逐渐缩小。
8.根据权利要求7所述的晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓筱璇，潘钦寒，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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