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本发明提供一种晶体管结构，包括基底、外延层、井区、高压井区、源极区、漏极区、栅极结构与第一埋入层。外延层具有第一导电型，且设置在基底上。井区具有第二导电型，且位于外延层中。高压井区具有第一导电型，且位于井区的一侧的外延层中。源极区具有第一导...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。

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