晶圆卡盘的清洁装置、光刻机台制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种晶圆卡盘的清洁装置、一种光刻机台。所述晶圆卡盘的清洁装置包括：密闭腔室，用于放置待清洁的晶圆卡盘；气流输入单元，用于向所述密闭腔室内通入吹扫气体；位于所述密闭腔室内，设置于所述气流输入单元与晶圆卡盘放置位之间的气流调整单元，用于调整朝向晶圆卡盘表面的气流吹扫角度。所述晶圆卡盘的清洁装置能够预防晶圆卡盘被污染。

Cleaning device and photolithography machine for wafer chuck

【技术实现步骤摘要】
晶圆卡盘的清洁装置、光刻机台
本技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种晶圆卡盘的清洁装置、光刻机台。
技术介绍
半导体处理设备中，用于放置晶圆的晶圆卡盘通常位于处理腔室内的基台上，而晶圆卡盘上存在污染物会影响对晶圆的处理效果。对于光刻机台，晶圆卡盘表面存在污染物，会导致其支撑的晶圆表面凸起或倾斜，在曝光过程中，会导致局部图形因为离焦而使得曝光图形失真。在多层图形曝光的过程中，也会导致当前图层与前层图形之间的对准发生偏差，从而导致良率的损失。目前对晶圆卡盘表面进行清洗的方法通常包括采用研磨石研磨卡盘表面，或者采用机台的自动清洗功能，但是这会增加机台恢复时间，并且缩短基台的使用寿命。而在对机台进行维护，或者更换晶圆基台时，需要将基台连同晶圆卡盘从机台腔室内取出，暴露在空气中，一旦暴露时间过长，空气中的杂质颗粒就容易掉落在晶圆卡盘上，对卡盘表面造成污染。因此，需要采用一种新的晶圆卡盘清洁装置，避免晶圆卡盘被污染。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种晶圆卡盘的清洁装置、光刻机台，能够预防晶圆卡盘表面被污染同时对卡盘进行清洁。为了解决上述问题，本技术提供了一种晶圆卡盘的清洁装置，包括：密闭腔室，用于放置待清洁的晶圆卡盘；气流输入单元，用于向所述密闭腔室内通入吹扫气流；位于所述密闭腔室内的气流调整单元，所述气流调整单元设置于所述气流输入单元与所述晶圆卡盘之间，用于调整朝向晶圆卡盘表面的气流吹扫角度；气流输出单元，用于排出所述密闭腔室内的气流。可选的，还包括：检测单元，与所述气流调整单元和所述气流输入单元连接，用于检测所述晶圆卡盘表面的清洁情况，并根据所述清洁情况控制所述气流调整单元的气流吹扫角度以及所述气流输入单元的流量。可选的，所述检测单元包括水平传感器。可选的，还包括：过滤单元，设置于所述气流调整单元和所述气流输入单元之间，用于对输入密闭腔室内的吹扫气体进行过滤。可选的，所述气流调整单元包括一组可旋转的挡风板，所述挡风板与晶圆卡盘表面之间的夹角可在0°～-180°之间改变。可选的，所述气流调整单元包括位置固定的横梁以及位于所述横梁下方与所述横梁平行的拉杆，所述挡风板的上下端分别通过一转轴固定于所述横梁和拉杆上；所述气流调整单元还包括：挡风板驱动装置，用于驱动所述拉杆移动以带动所述挡风板旋转。可选的，还包括：气流均匀单元，设置于所述过滤单元与所述气流输入单元之间，用于使得经过所述过滤单元的气流分布均匀。可选的，所述气流均匀单元包括风扇，以及连接所述风扇的频率控制器。本技术的技术方案还提供一种光刻机台，包括上述任一项所述的清洁装置。可选的，所述至少一个气流输入单元连接至所述光刻机台的供气单元。本技术的晶圆卡盘的清洁装置能够在晶圆卡盘自半导体处理机台内取出后，使晶圆卡盘与空气隔离，并且通过吹扫，清除晶圆卡盘上的污对染颗粒。从而，通过所述清洁装置，能够避免在对半导体处理机台进行维护时，晶圆卡盘与外界空气接触，预防晶圆卡盘收到外界空气污染，缩短机台复机时间，提高产能。附图说明图1为本技术一具体实施方式的晶圆卡盘的清洁装置的结构示意图；图2为本技术一具体实施方式的晶圆卡盘的清洁装置的气流调整单元的结构示意图；图3为本技术一具体实施方式的晶圆卡盘的清洁装置的结构示意图；图4为本技术一具体实施方式的晶圆卡盘的清洁装置的结构示意图；图5为本技术一具体实施方式的光刻机台的结构示意图；图6为本技术一具体实施方式的晶圆卡盘的清洁方法的流程示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的晶圆卡盘的清洁装置以及清洁方法、光刻机台的具体实施方式做详细说明。请参考图1，为本技术一具体实施方式的晶圆卡盘的清洁装置的结构示意图。所述晶圆卡盘的清洁装置包括：密闭腔室100，用于放置待清洁的晶圆卡盘101；气流输入单元102，用于向所述密闭腔室100内通入吹扫气体；位于所述密闭腔室100内，设置于所述气流输入单元102与晶圆卡盘放置位之间的气流调整单元120，用于引导吹向晶圆卡盘表面的气流方向，调整朝向晶圆卡盘表面的气流吹扫角度。所述气流输入单元102包括喷嘴1023，该具体实施方式中，所述密闭腔室100的顶部设置有两个喷嘴1023，以提高向密闭腔室100内通入气体的效率以及气体分布均匀性。所述气流输入单元102可以连接至外部的吹扫气体源。所述吹扫气体可以为压缩空气、氮气或惰性气体等。所述气流输入单元102还包括三通阀1021，所述两个喷嘴1023分别连接至三通阀1021的两端，所述三通阀1021的另一端连接至吹扫气体源，从吹扫气体源通入的气体，分流至两个喷嘴1023，通入所述密闭腔室100内。为了控制输入气体的流量，所述气流输入单元102还可以包括流量阀1022，所述流量阀1022设置于所述三通阀102与吹扫气体源之间。所述清洁装置还包括至少一个气体输出单元140，用于在对晶圆卡盘101进行吹扫时，排出密闭腔室100内的气体，保持所述密闭腔室100内的气压稳定，以及及时将吹扫的颗粒杂质排出。在其他具体实施方式中，所述清洁装置的气流输入单元还可以仅包括一个喷嘴或者包括三个以上的喷嘴。多个喷嘴均匀分布，可以提高输入密闭腔室100内的气体分布均匀性。该具体实施方式中，所述气流调整单元120包括一组可旋转的挡风板121，所述挡风板121发生旋转可以使得挡风板121与晶圆卡盘101表面之间的夹角发生变化，从而使得经过所述挡风板121之间的气流方向发生变化，从而改变吹扫气体对晶圆卡盘101表面的吹扫方向。通过在吹扫过程中，改变吹扫方向，可以对晶圆卡盘表面各个位置均进行吹扫，以提高垂落晶圆卡盘101表面的污染颗粒的效率。该具体实施方式中，所述还包括：过滤单元130，设置于所述气流调整单元120和所述气流输入单元102之间，用于对输入密闭腔室100内的吹扫气体进行过滤。所述过滤单元130可以为过滤层，将所述密闭腔室100分割为两个子腔室，气流输入单元102输入的气体自一个子腔室向放置有晶圆卡盘101的子腔室内流动时，经过所述过滤单元130的过滤，进一步去除吹扫气体内的杂质颗粒，避免在吹扫过程中对晶圆卡盘101造成污染。所述过滤单元130可以采用物理阻挡或吸附等方式，过滤气体中的杂质。所述过滤单元130可以为单层过滤层，也可以包括多层过滤层，以进一步提高过滤效果。请参考图2，为本技术的具体实施方式的气流调整单元120的结构示意图。所述气流调整单元120包括多个挡风板121，位置固定的横梁122以及位于所述横梁122下方与所述横梁122平行的拉杆123，所述挡风板121的上下端分别通过一转轴126固定于所述横梁122和拉杆123上。所述横梁122的两端可以固定于所述密闭腔室100的腔室壁上。所述气流调整单元120还包括：挡风板驱动装置，用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆卡盘的清洁装置，其特征在于，包括：/n密闭腔室，用于放置待清洁的晶圆卡盘；/n气流输入单元，用于向所述密闭腔室内通入吹扫气流；/n位于所述密闭腔室内的气流调整单元，所述气流调整单元设置于所述气流输入单元与所述晶圆卡盘之间，用于调整朝向晶圆卡盘表面的气流吹扫角度；/n气流输出单元，用于排出所述密闭腔室内的气流。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆卡盘的清洁装置，其特征在于，包括：
密闭腔室，用于放置待清洁的晶圆卡盘；
气流输入单元，用于向所述密闭腔室内通入吹扫气流；
位于所述密闭腔室内的气流调整单元，所述气流调整单元设置于所述气流输入单元与所述晶圆卡盘之间，用于调整朝向晶圆卡盘表面的气流吹扫角度；
气流输出单元，用于排出所述密闭腔室内的气流。


2.根据权利要求1所述的晶圆卡盘的清洁装置，其特征在于，还包括：检测单元，与所述气流调整单元和所述气流输入单元连接，用于检测所述晶圆卡盘表面的清洁情况，并根据所述清洁情况控制所述气流调整单元的气流吹扫角度以及所述气流输入单元的流量。


3.根据权利要求2所述的晶圆卡盘的清洁装置，其特征在于，所述检测单元包括水平传感器。


4.根据权利要求1所述的晶圆卡盘的清洁装置，其特征在于，还包括：过滤单元，设置于所述气流调整单元和所述气流输入单元之间，用于对输入密闭腔室内的吹扫气体进行过滤。


5.根据权利要求1所述的晶圆卡盘的清洁装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁学玉，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34