【技术实现步骤摘要】
半导体器件本专利技术申请是国际申请日为2014年7月9日、国际申请号为PCT/JP2014/068288、进入中国国家阶段的国家申请号为201480080447.2、专利技术名称为“半导体器件”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及具备在单一活性区域内具有两个光电转换元件的像素区域的半导体器件。
技术介绍
在以往的具有固态成像元件的半导体器件中，例如日本特开2013-157883号公报(专利文献1)所示，具有在单一像素区域内配置了单一光电转换元件的结构。如专利文献1所示的那样，在该固态成像元件中，向光电转换元件入射光的光入射区域中大致一半区域被金属等的遮光膜遮光。通过使一半区域被遮光，能够在使用者的单只眼可见的范围内进行焦点的调节等。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-157883号公报
技术实现思路
专利文献1的固态成像元件由于一部分的入射光被遮光膜遮挡，所以存在一次能够处理的信号量很少的问题。于是，近年来，开发出在单一像素区...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，在半导体衬底上多个像素区域呈矩阵状排列，所述半导体器件的特征在于，/n所述多个像素区域分别具有：/n活性区域，其形成于所述半导体衬底；/n两个光电转换元件，其在所述活性区域内彼此隔开间隔地配置；/n两个浮动电容区域，其能够与所述两个光电转换元件分别构成用于传输通过光电转换所得到的电子的传输晶体管，将从所述光电转换元件输出的电信号取出并进行积累；/n第一晶体管，其接收从所述传输晶体管输出的电信号；/n第二晶体管，其与所述第一晶体管连接；/n层间绝缘膜，其覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管；以及/n布线，其与所述层间绝缘膜的上表面相接，/n所述第一晶体管包括...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，在半导体衬底上多个像素区域呈矩阵状排列，所述半导体器件的特征在于，
所述多个像素区域分别具有：
活性区域，其形成于所述半导体衬底；
两个光电转换元件，其在所述活性区域内彼此隔开间隔地配置；
两个浮动电容区域，其能够与所述两个光电转换元件分别构成用于传输通过光电转换所得到的电子的传输晶体管，将从所述光电转换元件输出的电信号取出并进行积累；
第一晶体管，其接收从所述传输晶体管输出的电信号；
第二晶体管，其与所述第一晶体管连接；
层间绝缘膜，其覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管；以及
布线，其与所述层间绝缘膜的上表面相接，
所述第一晶体管包括第一栅电极，
所述第二晶体管包括源极/漏极区域，
所述多个像素区域中分别包括两个所述传输晶体管，两个所述传输晶体管分别具有所述两个光电转换元件的每一个和所述两个浮动电容区域的每一个，
所述第一晶体管在所述像素区域内，在两个所述浮动电容区域中的一个所述浮动电容区域与另一个所述浮动电容区域排列的方向上，配置在一个所述浮动电容区域与另一个所述浮动电容区域之间，
所述两个光电转换元件配置在单个所述活性区域内，
所述两个浮动电容区域的每一个、所述第一晶体管的所述第一栅电极和所述第二晶体管的所述源极/漏极区域在俯视时在所述两个浮动电容区域中的一个所述浮动电容区域与另一个所述浮动电容区域排列的方向上排列在一条直线上，
所述两个浮动电容区域中的至少一个所述浮动电容区域、所述第一晶体管和所述第二晶体管经由所述布线连接在一起。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一晶体管配置在第一像素区域的所述活性区域与第二像素区域的所述活性区域之间，所述第一像素区域为所述多个像素区域中配置有所述第一晶体管的像素区域，所述第二像素区域为从所述第一像素区域的所述活性区域来看与所述第一像素区域的一个所述浮动电容区域及另一个所述浮动电容区域侧相邻的像素区域。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
一个所述浮动电容区域及另一个所述浮动电容区域被所述第一像素区域和所述第二像素区域共用。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一晶体管为将来自两个所述传输晶体管的电信号放大的放大晶体管，
单个所述放大晶体管被两个所述传输晶体管共用。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第二晶体管的所述源极/漏极区域的某一个的至少一部分与所述两个浮动电容区域的某一个重叠。
6.根据权利要求5所述...
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